Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
ОСНОВАН В 1909 ГОДУ
наверх
Кафедра физики твёрдого тела
Саратовский университет – это крупное экспертное сообщество. Любовь к науке и обучению, пытливый ум, стремление к диалогу, системность и трудолюбие – то, что выделяет университетских людей

Визитка

Направления деятельности

БАЛАВРИАТ

Направление подготовки: 11.03.04  «Электроника и наноэлектроника»

Бакалавр по указанному направлению подготовки может занимать следующие должности: инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-лаборант.

Область профессиональной деятельности выпускников, освоивших программу бакалавриата включает совокупность средств, способов и методов, направленных на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.

Получение квалификации бакалавра по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» позволяет продолжить обучение в магистратуре по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

 

МАГИСТРАТУРА

Направление подготовки: 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»

Выпускник магистратуры может занимать следующие должности: научный сотрудник, ассистент, инженер, инженер-электроник, инженер-технолог, мастер участка, инженер по подготовке производства, организационно-управленческие должности, инженер по реализации перспективных и конкурентоспособных изделий и другие.

Объектами профессиональной деятельности выпускников, освоивших программу магистратуры являются материалы, компоненты, электронные приборы, устройства, установки, методы их исследования, проектирования и конструирования, технологические процессы производства, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели, алгоритмы решения типовых задач, современное программное и информационное обеспечение процессов моделирования и проектирования изделий электроники и наноэлектроники.

Получение степени магистра по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» позволяет продолжить обучение в аспирантуре по соответствующим научным специальностям.

 

АСПИРАНТУРА

2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств

Виды профессиональной деятельности, к которым готовятся выпускники:

• научно-исследовательская деятельность в области электроники, радиотехники и систем связи, включающая разработку программ проведения научных исследований опытных, конструкторских и технических разработок, разработку физических и математических моделей исследуемых процессов, явлений и объектов, относящихся к профессиональной сфере;

• разработку методик и организацию проведения экспериментов и испытаний, анализ их результатов; подготовку заданий для проведения исследовательских и научных работ;

• сбор, обработку, анализ и систематизацию научно-технической информации по теме исследования, выбор и обоснование методик и средств решения поставленных задач;

• управление результатами научно-исследовательской деятельности, подготовку научно-технических отчетов, обзоров, публикаций по результатам выполненных исследований;

• участие в конференциях, симпозиумах, школах-семинарах и т.д.;

• защиту объектов интеллектуальной собственности;

• преподавательская деятельность по образовательным программам высшего образования.

Преподаватели и сотрудники кафедры физики твердого тела в учебной лабратории
В учебных лабораториях кафедры физики твердого тела
В учебных лабораториях кафедры физики твердого тела
В учебных лабораториях кафедры физики твердого тела

История

Созданию кафедры физики твердого тела предшествовала научная и организационная работа, проведенная учеником и сотрудником академика А.Ф. Иоффе В.П. Жузе, работавшим в Саратовском госуниверситете с 1935 по 1944 г. Со дня образования кафедры физики твердого тела в 1945 году до 1985 года бессменным руководителем кафедры была Заслуженный деятель науки РСФСР, д.ф.-м.н., профессор Кирьяшкина З.И. Научные исследования проводились в открытой в СГУ в 1957 году проблемной лаборатории полупроводников, научным руководителем которой была З.И. Кирьяшкина, и с 1973 года в отделе физики полупроводников и микроэлектроники НИИМФ. З.И. Кирьяшкина работала деканом физического факультета СГУ с 1952 по 1955 г.г. и с 1974 по 1976 г.г. Под ее руководством аспирантами и соискателями кафедры и отдела было защищено более 25 кандидатских диссертаций и одна докторская диссертация. По инициативе З.И, Кирьяшкиной были впервые в стране разработаны программы курсов по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» (1979г.). Развитие научно-педагогического коллектива, руководимого З.И. Кирьяшкиной, привело к образованию на его основе в 1981 году на физическом факультете кафедры физики полупроводников.
 

Первым заведующим кафедрой физики полупроводников в 1981 году стал доктора технических наук, профессор Борис Николаевич Климов. Б. Н. Климов в 1960 г. поступил в аспирантуру на кафедру физики твердого тела СГУ, где его научным руководителем стала З. И. Кирьяшкина. Вся его дальнейшая жизнь связана с Саратовским университетом. В 1980-е годы на кафедре физики полупроводников сформировался мощный педагогический и научный коллектив, велись НИР по тематике, связанной с физикой полупроводников и полупроводниковой электроникой, успешно защищались кандидатские и докторские диссертации. В середине 1980-х годов на кафедре начала развиваться новая исследовательская тематика в области органических полупроводников и молекулярной электроники. Одним из наиболее значимых и важных дел, которым под руководством Б.Н. Климова активно занимался коллектив кафедры с 1993 года, стало создание и обеспечение успешной и продуктивной деятельности Лицея «Полупроводниковая электроника» на базе школы № 37 города Саратова и школы № 9 города Аткарска.
 

В 1985 году заведующим кафедрой физики твердого тела стал заслуженный деятель науки Российской Федерации, заслуженный изобретатель, доктор физико-математических наук, профессор Дмитрий Александрович Усанов. Д.А. Усанов – известный в стране и за рубежом ученый, активно работавший на стыке твердотельной электроники, радиофизики, оптики и медико-биологической диагностики. Автор более 400 научных статей, 13 монографий и 27 учебных пособий. Под его руководством защищено 60 кандидатских и 8 докторских диссертаций. Д. А. Усанов и сотрудники его коллектива создали и запатентовали измеритель толщины покрытий типа СИТ-40, который был успешно применён для контроля теплозащитного покрытия на советском космическом корабле «Буран». К его заслугам относится организационная деятельность в течение более 20 лет (с 1989 по 2013 г.г.) в должности проректора по научно-исследовательской работе, направленная на развитие и поддержку научно-исследовательской работы в СГУ на мировом уровне. Усанов Д.А. удостоен государственных наград РФ, среди которых медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» 2-й степени (2003 г.), «Орден Почета» (2010 г.).
 

В 2010 году заведующим кафедрой физики полупроводников стал Почетный работник сферы образования Российской Федерации, доктор физико-математических наук, профессор Александр Иванович Михайлов. В 1975 г. окончил с отличием физический факультет Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского по специальности «полупроводники и диэлектрики», а в 1978 г. – аспирантуру кафедры физики твердого тела СГУ. В 1993 г. был одним из основных инициаторов и создателей Лицея «Полупроводниковая электроника» на базе школы № 37 и школы № 9 г. Аткарска Саратовской области (с 1998 г.). В 2000 г. успешно защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. С 2001 г. – профессор кафедры физики полупроводников СГУ. Научные интересы: твердотельная электроника и радиофизика СВЧ и КВЧ, параметрические и нелинейные колебательные, волновые процессы и квантово-размерные эффекты в полупроводниковых структурах, математическое моделирование физических процессов. Автор более 300 научных и учебно-методических публикаций, авторских свидетельств СССР и патентов РФ на изобретения.
 

В 2019 году заведующим кафедрой физики твёрдого тела стал Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации, доктор физико-математических наук, профессор Скрипаль Александр Владимирович. Скрипаль А.В. — известный в нашей стране и за рубежом ученый, активно работающий на стыке твердотельной, микро- и наноэлектроники, радиофизики, СВЧ-техники, микроволновой диагностики параметров материалов и структур. Результатом исследований явилась разработка СВЧ-измерителя теплозащитного слоя советского космического корабля многоразового использования «Буран». Автор 45 патентов и авторских свидетельств, 7 свидетельств о государственной регистрации программ для ЭВМ, 134 научных статей, опубликованных в центральных отечественных и зарубежных журналах, 9 монографий, 15 учебных пособиях. Награжден знаком «Изобретатель СССР». Под его руководством защищено 15 кандидатских диссертаций. Скрипаль А.В. награжден Почетным знаком «Во благо России» Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам, золотыми, серебряными и бронзовыми медалями международных конкурсов в Женеве, Нюрнберге, Париже, Брюсселе, Лионе, Москве, Сучжоу, Сеуле, Куньшане
 

Саратовский университет – это крупное экспертное сообщество. Любовь к науке и обучению, пытливый ум, стремление к диалогу, системность и трудолюбие – то, что выделяет университетских людей

Наука

Основные научные направления

  • Разработка и создание ближнеполевого измерителя параметров нанослоев;

  • Разработка компьютерного комплекса с программным обеспечением для измерения толщины нанометровых пленок;

  • Разработка лазерного автодинного измерителя параметров движений;

  • Разработка перспективных цифровых устройств и приборов, на основе троичной логики;

  • Исследование и разработка электронной компонентной базы СВЧ и субтерагерцевого диапазонов на основе алмазографитовых нанокомпозитов;

  • Разработка брэгговской элементной базы электроники микроволнового и терагерцового диапазонов;

  • Исследование резонансных эффектов СВЧ- и субтерагерцового диапазонов в метаматериалах на основе брэгговских структур с изменяемой структурой нарушения периодичности и интерфейса. СВЧ фотонные кристаллы на основе волноводных, коаксиальных, микрополосковых брэгговских структур;

  • Теоретическое и экспериментальное обоснование новых технологий измерения толщины и электропроводности нанослоёв в квантоворазмерных структурах по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастотного и оптического диапазонов;

  • Исследование многокомпонентных сред на основе наноразмерных ферромагнитных кластерных образований с использованием радиоволновых технологий контроля;

  • Теоретическое и экспериментальное обоснование радиоволновых технологий контроля параметров нанокомпозитов с включениями в виде углеродных нанотрубок;

  • Исследование колебательных и волновых процессов в полупроводниках, полупроводниковых структурах и приборах в СВЧ, КВЧ и других частотных диапазонах;

  • Исследование проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных схем при использовании современной полупроводниковой элементной базы. Исследование высокочастотных характеристик полупроводниковых приборов, работающих в режиме большого сигнала;

  • Разработка 2D периодических пористых и тубулярных наноструктур на основе пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) и диоксида титана для высокоэффективных молекулярных сенсорных устройств различного назначения резистивного и оптического типов;

  • Исследование эффектов в квантово-размерных полупроводниковых структурах;

  • Технология получения и исследование свойств микрочастиц карбоната кальция, модифицированных наночастицами магнетита, на органических волокнах.

Разработка и создание ближнеполевого измерителя параметров нанослоев
Разработка лазерного автодинного измерителя параметров движений
Технология получения и исследование свойств микрочастиц карбоната кальция, модифицированных наночастицами магнетита, на органических волокнах
Разработка перспективных цифровых устройств и приборов, на основе троичной логики
Исследование эффектов в квантово-размерных полупроводниковых структурах