Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
ОСНОВАН В 1909 ГОДУ
  • ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ
наверх

Профиль подготовки: Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии

7 мест

Сколько бюджетных мест?

Очная

Форма обучения? 

2 года

Продолжительность учёбы?

Программа вступительного испытания

Руководитель образовательной программы: д.ф.-м.н., профессор кафедры физики твёрдого тела Михайлов Александр Иванович

В учебных лабораториях кафедры физики твердого тела

Image
Image
Image

Научное оборудование кафедры и лабораторий

Image
Image
Image
Image
Image
Image
Image
Image
Image
Image
Основные научные направления
Image
Image
Image
Image
Image
  1. Исследование проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных схем при использовании современной полупроводниковой элементной базы;

  2. Исследование резонансных эффектов СВЧ- и субтерагерцового диапазонов в метаматериалах на основе брэгговских структур с изменяемой структурой нарушения периодичности и интерфейса. СВЧ фотонные кристаллы на основе волноводных, коаксиальных, микрополосковых брэгговских структур;

  3. Теоретическое и экспериментальное обоснование новых технологий измерения толщины и электропроводности нанослоёв в квантоворазмерных структурах по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастотного и оптического диапазонов;

  4. Исследование многокомпонентных сред на основе наноразмерных ферромагнитных кластерных образований с использованием радиоволновых технологий контроля.

Image
Image
Image
Image
Image
  1. Теоретическое и экспериментальное обоснование новых технологий измерения толщины и электропроводности нанослоёв в квантоворазмерных структурах по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастотного и оптического диапазонов;

  2. Исследование многокомпонентных сред на основе наноразмерных ферромагнитных кластерных образований с использованием радиоволновых технологий контроля;

  3. Теоретическое и экспериментальное обоснование радиоволновых технологий контроля параметров нанокомпозитов с включениями в виде углеродных нанотрубок;

  4. Исследование колебательных и волновых процессов в полупроводниках, полупроводниковых структурах и приборах в СВЧ, КВЧ и других частотных диапазонах;

  5. Разработка 2D периодических пористых и тубулярных наноструктур на основе пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) и диоксида титана для высокоэффективных молекулярных сенсорных устройств различного назначения резистивного и оптического типов;

  6. Технология получения и исследование свойств микрочастиц карбоната кальция, модифицированных наночастицами магнетита, на органических волокнах.

Будущие места работы выпускников

Image
Image
Image
Image

Научно-производственный центр «Алмаз-Фазотрон» г. Саратов

Image
Image
Image

Научно-производственное предприятие «Алмаз», г. Саратов

Image
Image
Image
Image
Image
Image
Image
Image
  1. Разработка и создание ближнеполевого измерителя параметров нанослоев;

  2. Разработка компьютерного комплекса с программным обеспечением для измерения толщины нанометровых пленок;

  3. Разработка лазерного автодинного измерителя параметров движений;

  4. Разработка перспективных цифровых устройств и приборов, на основе троичной логики;

  5. Исследование и разработка электронной компонентной базы СВЧ и субтерагерцевого диапазонов на основе алмазографитовых нанокомпозитов;

  6. Разработка брэгговской элементной базы электроники микроволнового и терагерцового диапазонов.

Выпускник магистратуры может занимать следующие должности: научный сотрудник, ассистент, инженер, инженер-электроник, инженер-технолог, мастер участка, инженер по подготовке производства, организационно-управленческие должности, инженер по реализации перспективных и конкурентоспособных изделий и другие.

Объектами профессиональной деятельности выпускников, освоивших программу магистратуры являются материалы, компоненты, электронные приборы, устройства, установки, методы их исследования, проектирования и конструирования, технологические процессы производства, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели, алгоритмы решения типовых задач, современное программное и информационное обеспечение процессов моделирования и проектирования изделий электроники и наноэлектроники.

Для консультаций по условиям поступления вы можете обратиться к ответственному секретарю приёмной комиссии Института физики — Марине Викторовне Корабель.
Контакты:
📞 Телефон:  +7 (8452) 51 - 45 – 40
✉️ Электронная почта: infiz.priem@yandex.ru

Детальную информацию о направлениях подготовки, специальностях, количестве мест, программах вступительных испытаний, льготах для поступающих и стоимости обучения можно найти на сайте университета в разделе «Приём в СГУ».