Skip to main content Skip to search

Вы здесь

Латышева
Екатерина
Викторовна

Доцент
Образование: 
ГОУ ВПО "Саратовский государственный университет имени Н.Г.Чернышевского", 2010 г., Микроэлектроника и полупроводниковые приборы
Диссертации и учёные степени: 
Кандидат физико-математических наук (01.04.03 – радиофизика), «Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями», 2016 г.
Общий стаж: 
14 лет
Стаж по специальности: 
10 лет
Работа в университете: 
Доцент, Кафедра физики твёрдого тела, с 2020 по н.в.
Инженер, Учебная лаборатория по полупроводниковой технике, с 2014 по н.в.
Старший преподаватель, Кафедра физики твёрдого тела, с 2017 по 2020
Трудовая биография: 

Латышева Екатерина Викторовна в 2010 г. с отличием окончила Саратовский государственный университет, факультет нано- и биомедицинских технологий по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы» с присвоением квалификации «Физик-микроэлектронщик».

18 ноября 2016 г. защитила диссертацию «Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями» по специальностям 01.04.03 - Радиофизика и 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах с присуждением ученой степени кандидата физико-математических наук.

В период подготовки диссертации обучалась в аспирантуре Саратовского государственного университета под руководством профессоров Усанова Дмитрия Александровича и Скрипаля Александра Владимировича.

Принимала участие в конференциях различного уровня.

Преподаваемые дисциплины: 
Биомедицинские нанотехнологии (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»; 03.03.02 «Физика»)
Введение в учебный процесс (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Основы физики твердого тела и полупроводниковая электроника (03.03.02 «Физика»)
Электродинамика сплошных сред (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Электронные свойства кристаллов (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника)
Полупроводниковая электроника (03.03.03 «Радиофизика»)
Измерение параметров полупроводников
микро- и наноструктур на СВЧ (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Основные научные публикации: 
  1. Скрипаль А. В., Пономарев Д. В., Фролов А.П., Латышева Е.В., Рузанов О.М., Тимофеев И.О. СВЧ фотонные кристаллы -новый тип электродинамических систем, применяемых при измерении параметров материалов и структур // Радиолокация, навигация, связь: сборник трудов XXVI Международной научно-технической конференции (г. Воронеж, 29 сентября-1 октября 2020 г.): в 6 т. / Воронежский государственный университет; АО "Концерн "Созвездие". - Воронеж: Издательский дом ВГУ, 2020. ISBN 978-5-9273-3067-6 Том. 6. 422 с. С. 157-165. ISBN 978-5-9273-3073-7
  2. Компьютерное моделирование фотонных структур СВЧ-диапазона [Электроннный ресурс] : учебное пособие для студентов нано- и биомедицинских технологий, обучающихся по направлению подготовки магистратуры 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника" / А. В. Скрипаль, Д. В. Пономарев, Е. В. Латышева ; ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского". - Саратов : [б. и.], 2019. - 64 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 59-61 (33 назв.).
  3. Компьютерное моделирование фотонных структур СВЧ-диапазона: учеб. пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий, обучающихся по магистерской программе "Электроника и наноэлектроника" / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Д. В. Пономарев, Е. В. Латышева - Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2017. - 44 с. : ил. Электронное издание.
  4. Патент РФ 2622600 C2 МПК H01L 21/66 СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В.  16.06.2017 Бюл. № 17. Заявка: 2015150309 от 25.11.2015 Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
  5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Использование волноводно-диэлектрического резонанса для измерения параметров структуры нанометровая металлическая пленка - диэлектрик// Радиотехника. 2016. № 7. С. 10-16.
  6. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристаллов // Известия вузов. Электроника. 2016. №2. С. 187-194.
  7. Усанов Д. А., Никитов С. А., Скрипаль А. В., Пономарев Д. В., Латышева Е. В. Многопараметровые измерения эпитаксиальных полупроводниковых структур с использованием одномерных сверхвысокочастотных фотонных кристаллов// Радиотехника и электроника. 2016, том. 61. № 1. С. 45–53.
  8. D.A. Usanov, S.A. Nikitov, A.V. Skripal, D.V. Ponomarev, E.V. Latysheva Measurements of Electrophysical Characteristics of Semiconductor Structures with the Use of Microwave Photonic Crystals // Semiconductors 2016, v. 50, № 13, pp 1764–1768
  9. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Феклистов В.Б. Использование волноводно-диэлектрического резонанса для измерения параметров нанометровых металлических пленок в слоистых структурах// Том 2. Электроника и микроэлектроника СВЧ.  Сборник статей V Всероссийской конференции. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2016, С. 290–294.Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Контроль параметров структуры нанометровая металлическая пленка – диэлектрик методом волноводно-диэлектрического резонанса// Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами: материалы Всерос. научной школы-семинара / под ред. проф. Д. А. Усанова. – Саратов: изд-во Саратовский источник, 2016. С.121–124.
  10. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Феклистов В.Б. Волноводно-диэлектрический резонанс в системе с нанометровым металлическим слоем на диэлектрической подложке// Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2016. Т. 16. Вып. 2. С. 86–90.
  11. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристаллов // Известия вузов. Электроника. 2016. №2. С. 187–194.
  12. D.A. Usanov, A.V. Skripal, D.V. Ponomarev, E.V. Latysheva, S.A. Nikitov. Multiparameter Measurements of Characteristics of Semiconductor Structures Using Microwave Photonic Crystals// Proc. of 21th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON) 2016, Krakow, Poland, May 9-12, 2016.
  13. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Использование волноводно-диэлектрического резонанса для измерения параметров структуры нанометровая металлическая пленка – диэлектрик// Радиотехника. 2016. № 7. С. 10–16.
  14. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Феклистов В.Б. Измерение параметров нанометровых металлических пленок в слоистых структурах с использованием волноводно-диэлектрического резонанса// Материалы 26-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2016). Севастополь, 4—10 сентября 2016 г. : материалы конф. в 13 т. — Москва ; Минск ; Севастополь, 2016. Т. 9, С. 2023—2029.
  15. Usanov D.A., Nikitov S.A., Skripal A.V., Ponomarev D.V., Latysheva E.V.Photonic band gap structures and their application for measuring parameters of semiconductor layers // Proceedings of the Microwave Symposium (IMS), 2015 IEEE MTT-S International. 17–22 May 2015, Phoenix, AZ, USA. P. 1–4.
  16. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Измерения параметров полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристаллов // Тезисы докладов Международной научно-технической конференции «Электроника 2015». Зеленоград, 19–20 ноября 2015 г. С. 35–36.
  17. Усанов Д.А., Мерданов М.К., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Использование СВЧ фотонных кристаллов для измерения параметров материалов // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами: материалы Всерос. научной школы-семинара / под ред. проф. Д. А. Усанова. – Саратов: изд-во Саратовский источник, 2015. С. 50–55.
  18. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Применение СВЧ фотонных кристаллов для измерения параметров тонких полупроводниковых слоёв // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами: материалы Всерос. научной школы-семинара / под ред. проф. Д. А. Усанова. – Саратов: изд-во Саратовский источник, 2014. С. 27–30.
  19. D. Usanov, A. Skripal, D. Ponomarev, E. Latysheva, S. Nikitov New Techniques of Measurement Parameters of Thin Semiconductor Layers by means of Microwave Photonic Crystals // Proc. of 20th International Conference on Microwaves, Radar, and Wireless Communications MIKON-2014, Gdansk, Poland, June 16–18, 2014. V.1. P. 62–64.
  20. Usanov D. A., Skripal A. V., Ponomarev D. V., Latysheva E. V. Multiparameter Diagnostic of Semiconductor Layers by use of Microwave Waveguide Photonic Crystals // Материалы 24-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2014). Севастополь, 7—13 сентября 2014 г.: Материалы конференции. В 2 т. Севастополь: «Вебер», 2014, Т. 2, С. 906—907.
  21. D.A. Usanov, A.V. Skripal, D.V. Ponomarev, E.V. Latysheva, S.A. Nikitov Microwave Photonic Structures and their Application for Measurements of Parameters of Thin Semiconductor Layers // Proceedings of the 44th European Microwave Conference. 6–9 Oct 2014, Rome, Italy. P. 984–987. 978-2-87487-035-4 © 2014 EuMA
Повышение квалификации: 
«Управление интеллектуальным капиталом охрана, защита и коммерциализация результатов интеллектуальной деятельности (преподавание в высшей школе и НИИ)», ФГБОУ ВО «Российская государственная академия интеллектуальной собственности», 2021 г.
«Современные образовательные технологии в профессиональном образовании», ИДПО ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского", 2021 г.
Создание инклюзивной образовательной среды в профессиональном образовании, ИДПО ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского", 2019 г.
Ответственный за наполнение страницы Фролов Александр Павлович
Email: tanto_85@mail.ru