Skip to main content Skip to search

Документы

Положение о кафедре
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"

Митин
Антон
Васильевич

Старший преподаватель
Образование: 
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, 2005 г., Инженер по специальности "Микроэлектроника и твердотельная электроника"
Научные интересы: 
Полупроводниковая электроника и радиофизика СВЧ и КВЧ
Функциональная электроника
Математическое моделирование динамики электронных процессов в различных полупроводниковых структурах и приборах
Общий стаж: 
18 лет
Стаж по специальности: 
18 лет
Работа в университете: 
Инженер, лаборатория полупроводниковой электроники, с 2004 по 2007
Ассистент, кафедра физики полупроводников, с 2007 по 2009
Старший преподаватель, кафедра физики полупроводников, с 2009 по н.в.
Биографический текст: 

Родился в 1983 г. в Саратове.

В 2005 году окончил Саратовский государственный университет по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и поступил в очную аспирантуру СГУ.

 

Автор более 30 научных публикаций.

 

Преподаваемые дисциплины: 
Основы цифровой обработки сигналов
Основы аналоговой и цифровой электроники
Основы математического моделирования в твердотельной электронике
Твердотельная электроника
Принципы расширения стандартных прикладных программ
Основные научные публикации: 
  1. Михайлов А.И., Митин А.В. Влияние времени жизни носителей заряда на особенности динамики поля и тока в структурах на основе арсенида галлия в условиях локализованной засветки // III НАУЧНЫЙ ФОРУМ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ: ТЕОРИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ТТТ-2019. Физика и технические приложения волновых процессов ФиТПВП-2019: материалы XVII Международной научно-технической конференции. Казань, 18 – 22 ноября 2019 года /под ред. Д.Е. Шаронова, А.А. Иванова. – Казань: КНИТУ-КАИ, 2019. – Т. 3. – 288 с. - ISBN 978-5-7579-2420-5 (Т. 3)
  2. Кожевников И.О., Браташов Д.Н., Михайлов А.И., Митин А.В. Влияние узко-локализованной засветки на параметры токовых колебаний в планарно-эпитаксиальных мезаструктурах полуизолирующего арсенида галлия различной топологии // «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика»: сборник трудов XIV Всерос. конф. молодых ученых. Саратов: Изд-во «Техно-Декор», 2019. – С. 111-112.
  3. Исследование многочастотной генерации токовых колебаний в параллельных планарных меза-структурах высокоомного арсенида галлия / Кожевников И.О., Михайлов А.И., Митин А.В. // Нано- и биомедицинские технологии. Управление качеством. Проблемы и перспективы. Сборник научных статей. – Саратов, СГУ 2019. Вып.3 - 256 с. – C. 109 -111.  ISBN 978-5-907175-11-2
  4. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. – 2015. Том 58, № 4. – 59-64.
  5. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2014. - Т. 17, № 4. - С. 64-69. - ISSN 1810-3189.
  6. Михайлов А.И., Митин А.В., Терентьева А.И. Особенности проявления ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в высокоомных полупроводниках в условиях оптического воздействия // Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии: Сборник статей / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Издательский центр «Наука», 2013. – С 130-153.
  7. Михайлов А.И., Митин А.В. Экспериментальное исследование спектра колебаний тока в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах арсенида галлия в условиях засветки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2011. – Т. 14. – № 4. – С. 87-91.
  8. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2010. – Т. 13. – № 1. – С. 73-81.
  9. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2007. – Т. 10. – № 2. – С. 49-56.
  10. Михайлов А.И., Митин А.В. Система уравнений локально-полевой модели динамики зарядов и тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. - Вып. 13. - С. 74-78.
  11.  
Повышение квалификации: 
"Развитие профессиональных компетенций преподавателей в условиях системных изменений в высшем образовании", ИДПО ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2021 г.
"Современные образовательные технологии в профессиональном образовании", ИДПО ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2018 г.
«Полупроводниковые, оптические и информационные технологии как направления содержательного обновления образовательных программ по физике» , ИДПО ФГБОУ ВПО «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2015 г.