Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
ОСНОВАН В 1909 ГОДУ
  • ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ
наверх
Расписание занятий
Понедельник
Вторник
Среда
Четверг
Пятница
Суббота
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
08:20
09:50
10:00
11:35
ЛЕКЦИЯ
З
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
4052 гр. Институт физики
8 корп. ауд. 322
ПРАКТИКА
Ч
Ядерная и атомная физика
3052 гр. Институт физики
8 корп. 322 ауд.
ПРАКТИКА
Ч
3052 гр. Институт физики
8 корп. ауд. 322
ЛЕКЦИЯ
З
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
4051 гр. Институт физики
8 корп. ауд. 322
12:05
13:40
ПРАКТИКА
Ч
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
4051 гр. Институт физики
8 корп. ауд. 322
ЛАБОРАТОРНАЯ
З
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
4052 гр. Институт физики
8 корп. ауд. 322
ПРАКТИКА
Ч
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
4052 гр. Институт физики
8 корп. ауд. 322
ПРАКТИКА
З
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
4051 гр. Институт физики
8 корп. ауд. 322
13:50
15:25
15:35
17:10
ЛЕКЦИЯ
Инженерно-геологическая графика
251 гр. Геологический фак-т
I- в_а
17:20
18:40
ЛЕКЦИЯ
Инженерно-геологическая графика
251 гр. Геологический фак-т
I- в_а
18:45
20:05
20:10
21:30
Расписание сессии
Дата Отчётность / Дисциплина Группа / Подразделение Место проведения

Зачет

Поверхностные явления в полупроводниках

3052гр., Институт физики

Д/о

5 корп. 5 ауд.

Зачет

Инженерная графика с элементами САПР

2051гр., Институт физики

Д/о

5 корп. 5 ауд.

Дифференцированный зачет

Научно-исследовательская работа, 3 этап

2252гр., Институт физики

Д/о

8 корп.322 ауд.

Дифференцированный зачет

Преддипломная практика

2252гр., Институт физики

Д/о

8 корп.322 ауд.