Skip to main content Skip to search

Усанов
Дмитрий
Александрович

Профессор
Образование: 
Саратовский государственный университет имени Н.Г.Чернышевского, 1965 г., Радиофизика и электроника / радиофизика
Диссертации и учёные степени: 
Доктор физико-математических наук,
Учёное звание: 
Профессор по кафедре физики твердого тела
Общий стаж: 
55 лет
Стаж по специальности: 
55 лет
Работа в университете: 
Заведующий кафедрой, Кафедра физики твёрдого тела, с 1985 по 2019
Биографический текст: 

С отличием окончил физический факультет Саратовского госуниверситета. Затем работал инженером на предприятии электронной промышленности в г. Саратове. Свою жизнь в науке Д.А. Усанов начал в аспирантуре под руководством доцента Л.И. Баранова и профессора З.И. Кирьяшкиной. В 1972 г. защитил в специализированном совете при СГУ диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков». Прошел практически все ступеньки по «служебной лестнице» в СГУ: старший научный сотрудник (годы), заведующий лабораторией НИИ механики и физики при СГУ (годы), доцент (годы), заместитель декана физического факультета по научной работе (годы), с 1985 г. по настоящее время – заведующий кафедрой физики твердого тела.

В 1989 г. Д.А. Усанов защитил в диссертационном совете при СГУ диссертацию на соискание учёной степени доктора физико-математических наук по специальности "Радиофизика, включая квантовую радиофизику". В 1990 г. ему было присвоено ученое звание профессора по кафедре физики твердого тела. С 1989 по 2000 г. и с 2003 по 2013 г. – проректор СГУ по научно-исследовательской работе.

 

Проф. Д. А. Усанов известен в стране и за рубежом как ученый, активно работающий на стыке твердотельной электроники, радиофизики и оптики. Им установлены и исследованы в этой области новые физические эффекты и закономерности. Результатом этих исследований явилась разработка нового направления в метрике, новых методов измерений и устройств твердотельной электроники. Новые приборы, созданные по результатам разработок Д.А. Усанова, внедрены в промышленности, в том числе выпущены в виде серий.

 

За разработку и внедрение новых типов приборов, созданных на основе изобретений Д.А. Усанова, он награжден тремя серебряными и 4-я бронзовыми медалями ВДНХ, знаками «Ударник десятой пятилетки», «Отличник изобретательства и рационализации» 1983 года, «Лучший изобретатель Саратовской области» 1980, 1987гг., 26-ю золотыми, восемью серебряными и двумя бронзовыми медалями на выставках изобретений и инноваций в Париже, Брюсселе, Москве, Нюрнберге, а также двумя золотыми медалями Международной федерации Ассоциации изобретателей за победы на Европейском (Нюрнберг, Германия, 2007 г.) и Всемирном конкурсах изобретателей (Сучжоу, КНР, 2008 г.).

 

Оригинальные научные результаты исследований, полученные Д.А. Усановым, опубликованы в пяти монографиях, более чем в 250 научных статьях в центральной отечественной и зарубежной печати, доложены на многочисленных научных конференциях. Предложенные им новые технологии, способы измерений и приборы защищены 134 авторскими свидетельствами и патентами.

 

Д.А. Усанов является руководителем сформированной им научной школы. Под его научным руководством защищено 57 кандидатских и 8 докторских диссертаций. Он сочетает научную деятельность с научно-организационной. Он член Президиума Международной академии наук высшей школы, академик Российской академии естественных наук, старший член Международного института электрорадиоинженеров (IEEE), активный разработчик программы развития образования и науки в Саратовской области на 1997-2000 и 2001-2005 гг., заместитель главного редактора журналов "Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика", «Известия Саратовского университета», член редколлегии журналов «Известия вузов. Электроника» , «Физика волновых процессов и радиотехнические системы», председатель совета по защите докторских и кандидатских диссертаций при СГУ по специальностям «Радиофизика», «Физическая электроника», «Оптика» и «Твердотельная электроника» (с 1990 г.), член советов по защите докторских и кандидатских диссертаций при СГУ по специальности «Лазерная физика, биология».

 

При его участии в СГУ начата подготовка бакалавров и магистров по направлению "Электроника и микроэлектроника", открыта подготовка специалистов по медицинской физике. Является автором 19 учебных пособий, два из которых рекомендованы для использования в учебном процессе Министерством общего и профессионального образования Российской Федерации, два – учебно-методическим объединением вузов РФ по образованию  области радиотехники, биомедицинской техники и автоматизации по специальности, одно – Федеральной службой по надзору в сфере образования и науки.

 

Д.А. Усанов является членом Учебно-методического объединения Министерства образования и науки РФ по направлению "Электроника и микроэлектроника", специальности "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", экспертом по оценке качества образования Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки.

 

Как проректор по НИР, Д.А. Усанов активно разрабатывал обоснованную стратегию развития научных исследований в университете в условиях рыночной экономики, новые направления научных исследований, актуальные для региона и страны, создал ряд инновационных структур на базе университета, способствуя тем самым обеспечению положительной динамики в состоянии научных исследований.

 

В период с 2006 по 2008 годы Д.А. Усанов принял активное участие в организации и проведении 1-го, 2-го, 3-го и 4-го Саратовских салонов изобретений, инноваций и инвестиций в качестве члена оргкомитетов, редактора сборников трудов участников Салонов.

 

За активную деятельность по пропаганде научных и педагогических достижений Д.А. Усанов награжден Почетной грамотой Министерства общего и профессионального образования РФ. В 1998 г. ему присвоено звание "Заслуженный деятель науки Российской Федерации". В 2000 г. присуждена Государственная научная стипендия РАН.

 

За заслуги в развитии науки и высшего образования Дмитрий Александрович Усанов награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» 2-й степени (2003г.), медалью Всероссийского выставочного центра «За успехи в научно-техническом творчестве», Почетной грамотой и  медалью Федерации независимых профсоюзов России «100 лет профсоюзам России», бельгийскими орденоми «Командора» и «Офицера», знаком «Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации» (2003г.), медалью АН ВШ РФ «За заслуги перед высшей школой» (2008г.). В 2008 г. Д.А. Усанову присвоено звание «Почетный профессор СГУ». В этом же году он был занесён на Доску почета работников образования Саратовской области. В 2009 г. Д.А. Усанов был избран почетным доктором Башкирского государственного университета, награжден Почетным знаком Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам.

 

В 2008 году награждён золотыми медалями Международной федерации Ассоциаций изобретателей (International Federation of Inventors’ Associations (IFIA)) за победу в финале Кубка Европы (Europe and America Semifinal, IENA Nuremberg, 1-4 ноября 2007 года) и финале Кубка мира (The 6th International Exhibition of Inventions, IFIA General Assembly, г. Сучжоу, КНР, 17-20 октября 2008 года) Всемирного конкурса на лучшее изобретение в области компьютерных технологий (World Cup of Computer Implemented Inventions (World Cup of CIIs) — IFIA Project, 2007-2008, sponsored by Microsoft): Компьютерные видеотехнологии для диагностики и лечения нистагма глаз внешним световым воздействием переменной амплитуды и частоты (патент на изобретение РФ №2193337 «Способ исследования движения глазного яблока», патент №2221475 «Способ исследования движения глаз по бинокулярному изображению и устройство для его реализации», патент №2288676 «Способ лечения нистагма глаз» и др.).

   

В 2009 г. награждён Гран-при на 5-й Международной ярмарке изобретений SIIF-2009 (г. Сеул, Республика Корея) за изобретение: Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма: микроволновое дистанционное зондирование дыхательных движений и сердцебиений человека (патент на изобретение РФ №2295911 «Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма»).

В 2011 году награждён Гран-при «Agro Arca» на 4-й Международной Ярмарке инноваций, экологической идеи и технологии в сельском хозяйстве и пищевой промышленности Agro Arca 2011 (г. Слатина, Хорватия) за изобретение: Комплекс для тестирования водной среды (патент на изобретение РФ №2290629 «Автодинный измеритель качества воды», патент №2155335 «Способ определения влияния вредного воздействия на биообъекты» и др.).

В 2018 году получил звание заслуженного изобретателя Российской Федерации. Указ был подписан Президентом РФ В.В. Путиным 28 ноября.

Преподаваемые дисциплины: 
Физика полупроводников
Физические принципы работы твердотельных приборов СВЧ-электроники
Электронные свойства кристаллов
Основные научные публикации: 
  1. . Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Мерданов М.К. Согласованная нагрузка на брэгговских структурах терагерцевого диапазона частот// Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44, вып. 5. С. 63–68. Переводная версия Usanov, D. A.; Skripal', A. V.; Ponomarev, D. V.; et al A Matched Load Based on Bragg Structures for the THz-Frequency Range// Technical Physics Letters Volume: 44 Issue: 3 Pages: 210-212 (Scopus SJR 0.469, квартиль Q2, 2017, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785018030124)
  2. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Астахов Е.И., Добдин С.Ю. ЛАЗЕРНАЯ АВТОДИННАЯ РЕГИСТРАЦИЯ НАНОПЕРЕМЕЩЕНИЙ ПРИ МОДУЛЯЦИИ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ// Квантовая электроника. 2018. Т. 48. № 6. С. 577-581. Переводная версия Usanov, D. A.; Skripal, A. V.; Astakhov, E. I.; et al. Laser autodyne registration of nanodisplacements under laser wavelength modulation// Quantum Electronics Volume: 48 Issue: 6 Pages: (Scopus SJR 0.501, квартиль Q2,  http://dx.doi.org/10.1070/QEL16460)
  3. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Астахов Е.И., Костюченко И.С., Добдин С.Ю. АВТОДИННАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ РАССТОЯНИЯ С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА ПРИ ТОКОВОЙ МОДУЛЯЦИИ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ// Компьютерная оптика. 2018. Т. 42. № 1. С. 54-59. Переводная версия Usanov, D. A.; Skripal, A. V.; Astakhov, E. I.; et al. SELF-MIXING INTERFEROMETRY FOR DISTANCE MEASUREMENT USING A SEMICONDUCTOR LASER WITH CURRENT-MODULATED WAVELENGTH// Computer Optics Volume: 42 Issue: 1 Pages: 54-59 (Scopus SJR 0.457, квартиль Q2, 2017, http://www.computeroptics.smr.ru/.../420107.html /10.18287/2412-6179-2018-42-1-54-59 )
  4. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Рязанов Д.С. Таммовские состояния в брэгговских гетероструктурах на волноводно-щелевых линиях// Журнал технической физики. 2018. Т. 88, вып. 7. С. 1046–1049. Переводная версия Usanov, D. A.; Nikitov, S. A.; Skripal', A. V.; et al. Tamm States in Bragg Heterostructures on Waveguide Slot Lines// Technical Physics Volume: 63 Issue: 7 Pages: 1015-1018 (Scopus SJR 0.39, квартиль Q2, 2017, https://link.springer.com/article/ 10.1134/S1063784218070307
  5. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Евтеев С.Г. Волноводные фотонные кристаллы на резонансных диафрагмах с управляемыми n–i–p–i–n-диодами характеристиками// Радиотехника и электроника. 2018.  № 1. С. 65–71. Переводная версия Usanov, D. A.; Nikitov, S. A.; Skripal', A. V.; et al. Waveguide Photonic Crystals on Resonant Irises with Characteristics Controlled by n-i-p-i-n-Diodes// Journal of Communications Technology and Electronics Volume: 63 Issue: 1 Pages: 58-63 (Scopus SJR 0.273, квартиль Q3, 2017, https://link.springer.com/article/10.1134/S1064226918010138)
  6. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.А. Характеристики дефектной моды одномерного СВЧ волноводного фотонного кристалла с металлическим включением в элементе, нарушающем его периодичность// Журнал технической физики. 2017. Т. 87, вып. 6. С. 884–887. Переводная версия Usanov D. A., Skripal’ A. V., Romanov A.A. Parameters of defect mode of 1D microwave waveguide photonic crystal with metal inclusions in the element that disturbs periodicity // Technical Physics, 2017, Vol. 62, No. 6, pp. 899–902. (Scopus SJR 0.414, квартиль Q2, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063784217060263)
  7. Усанов Д.А., Мещанов В.П., Скрипаль А.В., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В., Мерданов М.К. Согласованные нагрузки сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн на СВЧ фотонных кристаллах// Журнал технической физики. 2017. Т. 87, вып. 2. С. 216–220. Переводная версия Usanov D. A., Meshchanov V. P., Skripal’ A. V., Popova N. F., Ponomarev D. V., and Merdanov M. K. Centimeter- and Millimeter-Wavelength Matched Loads Based on Microwave Photonic Crystals// Technical Physics, 2017, Vol. 62, No. 2, pp. 243–247. (Scopus SJR 0.414, квартиль Q2, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063784217060263)
  8. Усанов Д.А., Постельга А.Э., Бочкова Т.С., Гаврилин В.Н., Игонин С.В.МОДУЛЯЦИЯ ПОЛЯРИЗОВАННОГО ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ПРОХОДЯЩЕГО ЧЕРЕЗ МАГНИТНУЮ ЖИДКОСТЬ С НАНОТРУБКАМИ, ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ С ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ НАПРАВЛЕНИЕМ// Журнал технической физики. 2017. Т. 87. № 9. С. 1432-1435. Переводная версия Usanov D. A., Postel’ga A. E., Bochkova T. S., Gavrilin V. N., Igonin S. V. Modulation of polarized optical radiation passing through magnetic liquid with nanotubes in the presence of magnetic field with variable direction// Technical Physics, 2017, Vol. 62, No.9, pp. 1440–1443. (Scopus SJR 0.414, квартиль Q2, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063784217090274)
  9. Усанов Д.А., Постельга А.Э., Гуров К.А. КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПО СПЕКТРАМ ОТРАЖЕНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ В ШИРОКОМ ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР// Дефектоскопия. 2017. № 2. С. 44-52. Переводная версия Usanov D. A., Postel’ga A. E., Gurov K. A. Evaluating parameters of semiconductors from their microwave reflection spectra in a wide temperature range // Russian Journal of Nondestructive Testing, 2017, Vol. 50, No.2, pp.  117–125. (Scopus SJR 0.284, квартиль Q3, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1061830917020073)
  10. D.A. Usanov, S.A. Nikitov, A.V. Skripal, D.V. Ponomarev, and E.V. Latysheva// Measurements of Electrophysical Characteristics of Semiconductor Structures with the Use of Microwave Photonic Crystals// Semiconductors. 2016. Vol. 50, No. 13, pp. 1759–1763. ISSN 1063-7826 (Scopus SJR 0.38, квартиль Q3, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782616130091)
  11. Sagaidachnyi A.A., Fomin A.V., Usanov D.A., Skripal A.V. THERMOGRAPHY-BASED BLOOD FLOW IMAGING IN HUMAN SKIN OF THE HANDS AND FEET: A SPECTRAL FILTERING APPROACH// Physiological Measurement. 2017. V. 38. № 2. P. 272-288. (Scopus SJR 0.696, квартиль Q2, 2016, http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6579/aa4eaf)
  12. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Астахов Е.И., Добдин С.Ю. Автодинная интерферометрия для определения расстояния при модуляции длины волны лазерного излучения // Письма в ЖТФ, 2016, том 42, вып. 17. С. 78–86. Переводная версия Usanov D. A., Skripal’ A. V., Astakhov E. I., Dobdin S. Yu. Autodyne interferometry for range-finding under laser radiation wavelength modulation // Technical Physics Letters, 2016, Vol. 42, No.9, pp.  919–922. (Scopus SJR 0.408, квартиль Q2, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785016090121)
  13. Усанов Д. А., Никитов С. А., Скрипаль А. В., Пономарев Д. В., Латышева Е. В. Многопараметровые измерения эпитаксиальных полупроводниковых структур с использованием одномерных сверхвысокочастотных фотонных кристаллов// Радиотехника и электроника. 2016, том. 61. № 1. С. 45–53. Переводная версия Usanov D.A., Nikitov S., Skripal A.V., Ponomarev D.V., Latysheva E.V. Multiparametric measurements of epitaxial semiconductor structures with the use of one-dimensional microwave photonic crystals // Journal of Communications Technology and Electronics, 2016, Vol. 61, No.1, pp.  42–49. (Scopus SJR 0.236, квартиль Q3, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1064226916010125)
  14. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Горлицкий В.О. Волноводный фотонный кристалл, выполненный в виде диэлектрических матриц с воздушными включениями// Журнал технической физики. 2016. Т. 86, вып. 2. С. 65–70. Переводная версия Usanov D.A., Skripal A.V., Merdanov M. K., Gorlitskii V. O. Dielectric matrices with air cavities as a waveguide photonic crystal // Technical Physics, 2016, Vol. 61, No.2, pp.  221–226. (Scopus SJR 0.414, квартиль Q2, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063784216020250)
  15. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Дефектная мода в низкоразмерном волноводном СВЧ фотонном кристалле// Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42, вып. 10. С. 106–110. Переводная версия Usanov D.A., Skripal A.V., Posadsky V.N., Tyazhlov V.S., Baikin A.V The defect mode in a low-dimensional waveguide microwave photonic crystal // Technical Physics Letters, 2016, Vol. 42, No.5, pp.  550–552. (Scopus SJR 0.408, квартиль Q2, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S106378501605031X)
  16. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Рязанов Д.С. Брэгговские сверхвысокочастотные структуры на волноводно-щелевых линиях// Радиотехника и электроника. 2016, том. 61. № 4. С. 321–326.  Переводная версия Usanov D.A., Nikitov S.A., Skripal A.V., Ryazanov D.S. Bragg microwave structures based on waveguide-slot lines // Journal of Communications Technology and Electronics, 2016, Vol. 61, No.4, pp.   379–384. (Scopus SJR 0.236, квартиль Q3, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1064226916040124)
  17. Усанов Д.А., Постельга А.Э., Бочкова Т.С., Гаврилин В.Н. Динамика агломерации наночастиц в магнитной жидкости при изменении магнитного поля Журнал технической физики. 2016. Т. 86. № 3. С. 146-148. Переводная версия Usanov D.A., Postelga A.E., Bochkova T.S., Gavrilin V.N. Dynamics of nanoparticle agglomeration in a magnetic fluid in a varying magnetic field // Technical Physics, 2016, Vol. 61, No.3, pp.  464–466. (Scopus SJR 0.414, квартиль Q2, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063784216030221)
  18. Усанов А.Д., Ульянов С.С., Илюхина Н.С., Усанов Д.А. Мониторинг изменений кластерных структур в воде, происходящих под воздействием переменного магнитного поля// Оптика и спектроскопия. 2016. Т. 120. № 1. С. 94-98. Переводная версия Usanov A.D., Ulyanov S.S., Ilyukhin N.S., Usanov D.A. Monitoring of changes in cluster structures in water under AC magnetic field // Optics and Spectroscopy. 2016, Vol. 120, No.1, pp. 82–85. (Scopus SJR 0.331, квартиль Q3, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S0030400X16010239)
  19. Usanov D.A., Nikitov S.A., Skripal A.V., Ponomarev D.V., Latysheva E.V. Photonic band gap structures and their application for measuring parameters of semiconductor layers // Proceedings of the Microwave Symposium (IMS), 2015 IEEE MTT-S International. 17-22 May 2015, Phoenix, AZ, USA. P.1–4. (Scopus SJR 0.379, 2015. http://ieeexplore.ieee.org/document/7166794/)
  20. D. A. Usanov, A. V. Skripal’, and A. V. Romanov Charge-Carrier Transport Mechanisms in Composites Containing Carbon-Nanotube Inclusions// Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 13, pp. 1689–1694. (Scopus SJR 0.475, квартиль 23, 2015, https://link.springer.com/article/10.1134/S106378261513014X)
  21. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Яфаров Р.К. Получение и диагностирование планарных сотовых углеродных структур// Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41, вып. 13. С. 95–101. Переводная версия Usanov D.A., Skripal A.V., Yafarov R. K. Fabrication and diagnostics of planar cellular carbon structures // Technical Physics Letters, 2016, Vol. 41, No.7, pp.  658–660. (Scopus SJR 0.436, квартиль Q2, 2015, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785015070159)
  22. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю., Фадеев А.В. Ближнеполевой СВЧ микроскоп для определения анизотропных свойств диэлектрических материалов // Приборы и техника эксперимента. 2015. №2. С.84-87. Переводная версия Usanov D.A., Gorbatov S. S., Kvasko V. Yu., Fadeev A. V. A near-field microwave microscope for determining anisotropic properties of dielectric materials // Instruments and Experimental Techniques, 2015, Vol. 58, No.2, pp.  239–246. (Scopus SJR 0.284, квартиль Q3, 2015, https://link.springer.com/article/10.1134/S0020441215020268)
  23. Усанов Д.А., А.В.Скрипаль, Е.И.Астахов Опеделение амплитуды вибраций с помощью частотномодулированного полупроводникового лазерного автодина// Квантовая электроника.2014.-т.44, №2 с.184-188. Переводная версия Usanov D.A., Skripal A.V., Astakhov E.I. Determination of nanovibration amplitudes using frequency-modulated semiconductor laser autodyne // Quantum Electronics, 2014. V.44. № 2, pp. 184-188. (Scopus SJR 0.531, квартиль Q2, 2015, http://iopscience.iop.org/article/10.1070/QE2014v044n02ABEH015176)
  24. Sagaidachnyi A.A., Skripal A.V., Fomin A.V., Usanov D.A. Determination of the amplitude and phase relationships between oscillations in skin temperature and photoplethysmography-measured blood flow in fingertips // Physiological Measurement. 2014. V. 35. № 2, pp. 153-166. (Scopus SJR 0.59, квартиль Q3, 2016, http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0967-3334/35/2/153/meta)
  25. Usanov D.A., Skripal A.V., Ponomarev D.V., Latysheva E.V., Nikitov S.A. Microwave photonic structures and their application for measurements of parameters of thin semiconductor layers // (2014) European Microwave Week 2014: Connecting the Future, EuMW 2014 - Conference Proceedings; EuMC 2014: 44th European Microwave Conference, art. no. 6986602, pp. 984-987. (Scopus SJR 0.154, 2015, http://ieeexplore.ieee.org/document/6986602/)
  26. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Влияние отжига на СВЧ-характеристики углеродных нанотрубок и нанокомпозитных материалов, созданных на их основе // Журнал технической физики. 2014. Т. 84, вып. 6. С. 86–91. Переводная версия Usanov D.A., Skripal' A.V., Romanov A.V. Effect of annealing on the microwave characteristics of carbon nanotubes and the nanocomposite materials based on them // Technical Physics,2014, V. 59, №6, pp. 873-878. (Scopus SJR 0.389, квартиль Q3, 2016, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063784214060231)
  27. Усанов Д.А., С.С.Горбатов, В.Ю.Кваско, А.В.Фадеев, А.А.Калямин Пространственные осцилляции электрического поля и плотности заряда в кремниевом p-i-n-диоде// Письма в ЖТФ 2014.-т.40, вып.21.-с.104-110 Переводная версия Usanov D.A., Gorbatov S.S., Kvasko V.Y., Fadeev A.V., Kalyamin A.A. Spatial oscillations of the electric field and the charge density in a silicon p-i-n diode // Technical Physics Letters. 2014. V.40. №11, pp. 984-986. (Scopus SJR 0.408, квартиль Q3, 2014, https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785014110133)
  28. Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А. В. Низкоразмерные волноводные СВЧ фотонные кристаллы// Доклады Академии Наук. Т. 448, № 4, Январь 2014. С. 406–409 Переводная версия: Gulyaev Y.V., Nikitov S.A., Usanov D.A., Skripal A.V., Posadskii V.N., Tiazhlov V.S., Baykin A.V.Low-dimensional waveguide microwave photonic crystals // () Doklady Physics. 2014. V.59. №10. pp. 437-440. (Scopus SJR 0.326, квартиль Q3, 2014, https://link.springer.com/article/10.1134/S1028335814100024)
  29. Усанов Д. А., Постельга А.Э. Определение толщины, электропроводности и энергии активации примеси полупроводниковых слоев по спектру отражения// Дефектоскопия 2014.-№5.С.60-68 Переводная версия: Usanov D.A., Postel'Ga A.E. Determination of the thickness, electrical conductivity, and impurity activation energy of semiconductor layers from microwave reflection spectra // Russian Journal of Nondestructive Testing. 2014. V.50. №5. pp. 299-306.(Scopus SJR 0.237, квартиль Q3, 2014, https://link.springer.com/article/10.1134/S1061830914050106)
  30. Никитов С.А., Гуляев Ю.В., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Определение проводимости и толщины полупроводниковых пластин и нанометровых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 448, № 1, Январь 2013. С. 35-37.
  31. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Управление СВЧ-характеристиками композитных материалов с наполнителем из углеродных нанотрубок воздействием ультрафиолетового излучения// Журнал технической физики. 2013. Т. 83, вып. 3. С. 91–95.
  32. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Лабораторный практикум «Измерение параметров полу-проводников, микро- и наноструктур на СВЧ» (учебное пособие)– Саратов: Электронное издание Сарат. ун-та, 2012. – 91 с.: ил
  33. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Измерение параметров полупроводников, микро- и наност-руктур на СВЧ (учебное пособие)– Саратов: Электронное издание Сарат. ун-та, 2012. – 55 с.: ил.
  34. Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Измерение параметров твердых и жидких диэлектриков на сверхвысоких частотах с использованием микрополосковых фотонных структур// Радиотехника и электроника. 2012, том. 57. № 2. С. 230–236.
  35. Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Постельга А.Э., Пономарев Д.В. Определение параметров тонких полупроводниковых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 443, № 5, Апрель 2012,. С. 564-566.
  36. D.A. Usanov, A.V. Skripal Near-Field Microwave Microscopy. Capabilities. Application areas // Proc. of 19th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON-2012. Warsaw, Poland, May 21-23, 2012. – V.1. P. 163–168.
  37. D. A. Usanov, Al. V. Skripal, An. V. Skripal, A. V. Abramov, A. S. Bogolyubov, and Ali Bakouei. Measurement of the Parameters of Nanometer Films by Optical and Microwave Methods// Semiconductors, 2011, Vol. 45, No. 13, pp. 74–78. © Pleiades Publishing, Ltd., 2011.
  38. D. A. Usanov, A. V. Skripal’, and A. V. Romanov. Electrophysical Properties of Composites with Carbon Nanotubes, Fine Graphite, and Feritte Microparticles as Inclusions// Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 7, pp. 463–468. © Pleiades Publishing, Ltd., 2011.
  39. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Коротин Б.Н., Феклистов В.Б., Пономарев Д.В., Фролов А.П. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия нанометровых слоев металла на диэлектрических подложках// Известия вузов. Электроника. 2011. №5(91). С. 83–90.
  40. Dmitry A. Usanov, Sergey A. Nikitov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Boris N. Korotin, Vladimir B. Feklistov, Denis V. Ponomarev, Alexander P. Frolov Microwave Imaging of the Ceramic Plate Surface with the Nanometer Metal Layer by Means of the Near-Field Microscope Based on the Gunn-Diode Oscillator// Proceedings of the 41th European Microwave Conference. 9-14 October 2011. Manchester, UK. P. 210–213. 978-2-87487-022-4 © 2011 EuMA
  41. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Комплексная диэлектрическая проницаемость композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок// Журнал технической физики. 2011. Т. 81, вып. 1. С. 106–110.
  42. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок// Известия вузов. Электроника. 2011. №2. С. 33–37.
  43. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Куликов М. Ю. Микрополосковый p–i–n-диодный СВЧ-выключатель// Известия вузов. Радиоэлектроника. 2011. Т.54, №4. С. 51–54.
  44. Биорадиолокация / под ред. А.С. Бугаева, С.И, Ивашова, И.Я. Иммореева. Авторы: А.В. Абрамов, А.С. Боголюбов, А.Э. Постельга, Ал.В. Скрипаль, Ан.В. Скрипаль, Д.А. Усанов и др. – М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. – 396 с.
  45. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Романов А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Фотонные структуры в СВЧ-диапазоне и их применение для измерения параметров композитов с включениями из углеродных нанотрубок и жидких диэлектриков// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2010. Т. 13. № 3. С. 26–34.
  46. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Электрофизические свойства композитов с включениями в виде углеродных нанотрубок, частиц мелкодисперсного графита и ферритовых микрочастиц// Известия вузов. Электроника. 2010. №5. С. 45–52.
  47. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С., Скворцов В. С., Мерданов М. К. Волноводные фотонные кристаллы с характеристиками, управляемыми p–i–n-диодами// Известия вузов. Электроника. 2010. №1. С. 24–29.
  48. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Бокуи Али. Измерение параметров нанометровых пленок оптическими и радиоволновыми методами// Известия вузов. Электроника. 2010. №3. С. 44–50.
  49. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Микрополосковые фотонные кристаллы и их использование для измерения параметров жидкостей// Журнал технической физики. 2010. Т. 80, вып. 8, с. 143–148
  50. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А.Э. Частотная зависимость коэффициента отражения СВЧ-излучения от магнитной жидкости в области азотных температур// ЖТФ. 2009. Т. 79, вып. 9, с. 146–148.
  51. Dmitry A. Usanov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Maxim Y. Kulikov, Denis V. Ponomarev. Microstrip Photonic Crystals and Their Utilization for Measurement of Liquids// Proceedings of the 39th European Microwave Conference. 29 September - 1 October 2009, Rome, Italy. P. 1049–1052. 978-2-87487-011-8 © 2009 EuMA
  52. Dmitry A. Usanov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Vladimir S. Skvortsov, Merdan K. Merdanov. Waveguide Photonic Crystals with Transmittance, Controlled by PIN-diodes// Proceedings of the 39th European Microwave Conference. 29 September - 1 October 2009, Rome, Italy. P. 213–216. 978-2-87487-011-8 © 2009 EuMA
  53. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С., Скворцов В. С., Мерданов М. К. Широкополосные волноводные согласованные нагрузки на основе фотонных кристаллов с нанометровыми металлическими слоями// Известия вузов. Радиоэлектроника. 2009. №1. С.73 – 80.
  54. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Куликов М.Ю. Фотонные структуры и их использование для измерения параметров материалов/ Известия вузов. Электроника. 2008. №5. С. 25–32.
  55. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на изолирующих подложках// Известия вузов. Электроника. 2007. №6. С. 25–32.
  56. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах нанометровая металлическая пленка – диэлектрик// Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33, вып. 2, с. 13–22.
  57. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А. Э., Райхер Ю.Л., Степанов В.И. Температурная зависимость коэффициента отражения микроволнового излучения от слоя магнитной жидкости// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 11, с. 126–129.
  58. Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Методика измерения электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах по спектрам отражения электромагнитного излучения// Известия вузов. Электроника. 2006. №6. С. 27–35.
  59. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл–полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 5, с. 112–117.
  60. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Постельга А. Э. Радиоволновая интерферометрия движений тела человека, связанных с дыханием и сердцебиением// Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. 2005. №11–12. С. 44–51.
  61. Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Семёнов А.А., Абрамов А.В., Голишников А.А. Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металлических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках // Известия вузов. Электроника. 2005. №1. С. 68–77.
  62. Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В. Автоматизированные системы научных исследований. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2004. 144 с.
  63. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А.Э. СВЧ-автодиный измеритель параметров вибраций // Приборы и техника эксперимента. 2004 г. №5. С. 130–134.
  64. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Ульянов Д.В. Вычитание сигналов в полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генератораx//Радиотехника и электроника. 2004. Т. 49, № 3. С. 373–379.
  65. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Поздняков В.А. СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах// Известия вузов. Электроника. 2004. №2. С. 76–84.
  66. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003. 312 с.
  67. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Клецов А.А. Нелинейность частотных характеристик полевого транзистора с барьером Шотки в режиме большого сигнала// Известия вузов. Электроника. 2003. №5. С. 50–56.
  68. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Клецов А.А., Абрамов А.В., Ильин С.Н. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле// Известия вузов. Электроника. 2003. №4. С. 5–12.
  69. Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V. Optical control of semiconductor synchronized microwavе oscillators in the power suppression mode// Journal of Telecommunications and Information Technology// 2003. N 1. P. 30–35.
  70. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Вениг С.Б., Орлов В.Е., Угрюмова Н.В., Посадский В.Н., Клецов А.А. Воздействие мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ//Известия вузов. Радиоэлектроника. 2003 . Т. 46, №3. С.40–48.
  71. Usanov D.A.; Skripal Al.V., Skripal An.V., Kurganov A.V Interaction of Microwave Radiation with Magnetic Liquid Layer Placed in Waveguide // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2002. Vol.252. P.183-185.
  72. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В. Оптическое управление полупроводниковыми синхронизированными СВЧ-генераторами, работающими в схеме вычитания сигналов// Известия вузов. Электроника. 2002. №5. С. 31–39.
  73. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Вычислительные методы в физике твердого тела (издание второе, дополненное). Учеб. пособие – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. 136 с.
  74. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Курганов А.В. Спектр отражения СВЧ излучения от структуры магнитная жидкость - диэлектрик и определение по нему параметров магнитной жидкости// Дефектоскопия. 2002. №3. С.48–55.
  75. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Курганов А.В. Определение параметров магнитной жидкости по отражению сверхвысокочастотного излучения// ЖТФ. 2001. Т.71. №12. С.26-29.
  76. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В. Видеотехнологии автоматизированного контроля.. Саратов: Изд-во СГУ, 2001. 96 с.
  77. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Ульянов Д.В. Влияние магнитного поля на работу полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генераторов в режиме гашения мощности// Изв. ВУЗов. Электроника. 2000. №6. С. 49–54.
  78. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В., Вениг С.Б., Орлов В. Е. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ-сигнала//ФТП. 2000. Т. 34, вып. 5. С. 567-571.
  79. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии сверхвысокочастотного излучения высокого уровня мощности// Радиотехника и электроника. 2000. Т. 45, №12. С. 1509–1513.
  80. Скрипаль А.В., Усанов Д.А., Абрамов А.В. Нелинейная динамика генератора на туннельном диоде при воздействии внешнего СВЧ-сигнала // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2000. Т.8, № 4. С. 66–73.
  81. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999 г. 376 с..
  82. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Вениг С.Б., Феклистов В.Б. Лабораторные работы по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ». Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997 г. 140 с.
  83. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саpатов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996 г. 236 с.
  84. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик СВЧ-диодов на основе p–n-переходов в сильном СВЧ-поле// Изв. вузов. Электроника. 2000. №1. С.51–58.
  85. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Вениг С.Б. Орлов В. Е. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ-сигнала// Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34, вып. 5. С. 567-571.
  86. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В.Возникновение S-образных участков на вольтамперных характеристиках диодов с p–n-переходом под действием СВЧ-излучения// Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, №1. С.42–45.
  87. Усанов Д.А., Скрипаль Ан.В., Скрипаль Ал.В. Формирование сталагмитоподобных структур в магнитной жидкости при включении ортогонального магнитного поля// Изв. Вузов «Прикладная нелинейная динамика». 1998. Т.6. №6. С.70–72.
  88. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Бабаян А.В. Влияние саморазогрева диодов Ганна на спектр выходного сигнала генераторов на их основе// Изв. Вузов «Прикладная нелинейная динамика». 1998. Т.6. №6. С.20–28.
  89. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в диодных структурах на основе p–n-перехода при воздействии СВЧ-излучения//ФТП. 1998. Т.32, №11. С. 1399–1402.
  90. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Бабаян А.В. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с характеристиками генераторов на их основе // Письма в ЖТФ.1998. Т.24, вып. 10. С.1–7.
  91. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в p–i–n-диодных структурах при воздействии СВЧ-излучения// Известия вузов-Электроника. 1997. N3–4. С.48–52.
  92. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Орлов В.Е., Коротин Б.Н. Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодв греющим СВЧ-полем// Изв. Вузов Электроника. 1996. №1–2. С.129–133.
  93. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А., Бабаян А.В. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания// Радиотехника и электроника 1996. Т.41, № 12. С. 1497–1500.
  94. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Тяжлов В.С. Васильева А.В. Оптическое управление характеристиками усилителя на GaAs ПТШ в режиме большого сигнала//Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 11. С.1390–1397.
  95. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А. О взаимосвязи характеристик диодов Ганна, работающих в режиме генерации, с их сопротивлением в слабых электрических полях// ЖТФ. 1995. Т.65. Вып.10. С.197-198.
  96. Усанов Д.А., Тупикин В.Д., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н. Использование эффекта автодинного детектиpования в полупpоводниковых СВЧ генеpатоpах для создания устpойств pадиоволнового контpоля// Дефектоскопия. 1995. N5. С.16–20.
  97. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н. Орлов В.Е. Влияние греющего СВЧ поля на вид вольтамперной характеристики туннельного диода//Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.7. С.81–85.
  98. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Орлов В.Е. Прибор для дистанционного измерения вибраций// ПТЭ, 1991, N 1 (январь-февраль) С. 242–243.
  99. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е., Скрипаль А.В. Снятие вырождения в p- и n-областях туннельного диода внешним СВЧ-сигналом//Письма в ЖТФ, 1990, Т.16, вып.5. 1990 г. С.50–51.
  100. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в СВЧ генераторах на ЛПД// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1988. Т.31, N 10. С. 68–69.
  101. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1987. Т.30, N5. С.53–55.
  102. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Горбатов С.С. Влияние ИК излучения на генерацию диодов Ганна// Иэв.вузов-Радиоэлектроника. 1982. Т.25, N10. С.92–93.
  103. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Горбатов С.С. Особенности низкочастотной генерации СВЧ диодов Ганна// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1981. Т.24, N10. С.67–69.
Повышение квалификации: 
"Психолого-педагогические риски реализации инновационных образовательных технологий в системе уровневого профессионального образования" , Институт профессионального образования ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский университет имени Н.Г. Чернышевского", 2016 г.