Skip to main content Skip to search

Клецов
Алексей
Александрович

Доцент
Диссертации и учёные степени: 
Кандидат физико-математических наук (05.27.01), Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки, 2003 г.
PhD, 2007 г.
Трудовая биография: 

Доцент-преподаватель /Teaching Assistant Professor/. Осень 2010 - весна 2011 Университет Восточной Каролины (США) /East Carolina University/, Физический факультет

Преподаватель физики /Instructor/. Осень 2007 – весна 2010 “Коаст Каролина” Колледж (США) /Coastal Carolina Community College/

Преподаватель физики /Instructor/. Лето 2007, Университет штата Вайоминг (США)

Младший научный сотрудник /Research Assistant/. Осень 2004 - лето 2006 Университет штата Вайоминг (США), Факультет физики и астрономии

Младший научный сотрудник /Research Assistant/. Лето 2005. Университет штата Канзас /Kansas State University/ (США) Факультет химии

Ассистент. 2000 - 2001 Саратовский государственный университет, Физический факультет
 

Биографический текст: 

Образование

1. Кандидат технических наук. /Ph.D. in Electrical Engineering/
Университет штата Вайоминг /University of Wyoming/, США, 2007
Факультет: Электротехнический (Electrical Engineering)
Область исследований: Теоретическая наноэлектроника

2. Кандидат физико-математических наук.
Саратовский государственный университет, Россия, 2003
Факультет/кафедра: Физический / Физика твердого тела
Области исследований: Физика твердого тела / СВЧ физика / Нелинейные эффекты в п/п устройствах

3. Инженер-физик (5 лет).
Саратовский государственный университет, Россия, 1999
Факультет/кафедра: Физический / Физика полупроводников
Специальность: Физика полупроводниковых материалов

Диссертации

"Расчеты электронного пропагатора и функции Грина поверхности в соединениях металл-молекула-металл"
Кандидатская диссертация /Ph.D./ Университет штата Вайоминг /University of Wyoming/ (США) Hаучные руководители: Ю. И. Дахновский /Yu. Dahnovsky/ и Дж. Пикаль /J. Pikal/ (Университет штата Вайоминг)

"Влияние СВЧ-излучения высокой мощности на вольтамперные характеристики лавинно-пролетных диодов и GaAs транзисторов"
Кандидатская диссертация, Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского (Россия)
Hаучные руководители: д.ф.-м.н., профессор Д.A. Усанов и д.ф.-м.н., профессор A.В. Скрипаль (Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского )

Преподаваемые дисциплины: 
Основы физического материаловедения (22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов»)
Материаловедение. Полимеры и поликонд. материалы (22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов»)
Композитные и керамические материалы (22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов»)
Основные научные публикации: 
  • Spears D.F., Rebguns A., Anderson-Sprecher R., Spears W. M., Kletsov A theoretical framework for estimating swarm success probability using scouts. International Journal of Swarm Intelligence Research. 2010. Vol. 1 (4).
  • Kletsov A. and Dahnovsky Yu. Surface Green functions in molecular transport junctions: Generalization to interacting electrons in the leads. Physical Review B. 2007, Vol.76, p. 035304.
  • Kletsov A. and Dahnovsky Yu. Ab initio electron propagator calculations in molecular transport junctions: Predictions of negative differential resistance. Journal of Chemical Physics. 2007, Vol. 127, p. 1447.
  • Kletsov A., Dahnovsky Yu., and Ortiz J.V. Surface Green function calculations: A non-recursive scheme with an infinite number of principal layers. The Journal of Chemical Physics. 2007, Vol. 126, №13, p. 134105.
  • Dolgounitcheva O., Zakrzewski V. G., Sterling M. R., Kletsov A., Dahnovsky Yu., Ortiz J. V. Correlated Ab initio electron propagators in the study of molecular wires. International Journal of Quantum Chemistry. 2006, Vol. 106, №15, p. 3387-3392.
  • Dahnovsky Yu., Zakrzewski V. G., Kletsov A., Ortiz J. V. Ab initio electron propagator theory of molecular wires. I. Formalism. The Journal of Chemical Physics. 2005, Vol. 123, №18, p. 184711.
  • Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Клецов А.А., Абрамов А.В., Ильин С.Н. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле// Известия вузов. Электроника. 2003. №4. С. 5–12.
  • Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Вениг С.Б., Орлов В.Е., Угрюмова Н.В., Посадский В.Н., Клецов А.А. Воздействие мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ//Известия вузов. Радиоэлектроника. 2003 . Т. 46, №3. С.40–48.
  • Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Клецов А.А. Механизм возникновения отрицательного дифференциального сопротивления N-типа на вольтамперных характеристиках лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле// Материалы 13-й международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2003). Севастополь, 8–12 сентября 2003 г . Севастополь: «Вебер», 2003. С. 167–169.
  • Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Клецов А.А. Нелинейность частотных характеристик полевого транзистора с барьером Шотки в режиме большого сигнала// Известия вузов. Электроника. 2003. №5. С. 50–56.
  • Usanov D. A., Skripal Al. V., Skripal An., Abramov A.V., Kletsov A.A. Nonlinear dynamics of semiconductor microwave and optical oscillators // Izv. VUZ "Applied Nonlinear Dynamics" (Известия вузов. "Прикладная нелинейная динамика"). 2002. Vol. 10. № 3. P. 159-171.
  • Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Клецов А.А., Абрамов А.В. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа на вольтамперных характеристиках лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле// Труды Восьмой Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Дивноморское, Россия, 14–19 сентября 2002 г . Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002. Часть 2. С. 132–135.
Дополнительная информация: 

Область научных интересов

  • Теоретическая наноэлектроника
  • Нелинейный анализ устойчивости сложных систем

Основные направления исследований

Наноэлектроника. Электронные свойства материалов.

  • Теоретический вывод и программирование вычислительных методов для расчета функции Грина поверхности, используемых в вычислении вольтамперных характеристик переходов “металл-молекула-металл”
  • Программирование вычислительных методов расчета внутренних параметров молекулярных систем на основе теории электронного пропагатора
  • Математическое и компьютерное моделирование электрического тока через переходы “металл-молекула-металл” с помощью вычислительной квантово-химической программы Gaussian'03  

Физика полупроводников и СВЧ физика

  • Экспериментальные и теоретические исследования нелинейной динамики полупроводниковых СВЧ-генераторов
  • Анализ отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в лавино-пролетных диодах и GaAs транзисторах под воздействием мощного СВЧ-поля
Повышение квалификации: 
Содействие развитию добровольчества (волонтерства) и взаимодействие с социально ориентированными некоммерческими организациями, Институт дополнительного профессионального образования ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2020 г.