Skip to main content Skip to search

Документы

Положение о кафедре
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"

Михайлов
Александр
Иванович

Заведующий кафедрой
Образование: 
Средняя школа № 13 г. Саратова (ныне - ФТЛ № 1), 1970 г., Аттестат о среднем образовании, физический класс
Саратовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 1975 г., Физик по специальности "Полупроводники и диэлектрики"
Диссертации и учёные степени: 
Кандидат технических наук, Спецтема, 1982 г.
Доктор физико-математических наук (01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков»), Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах, 2000 г.
Учёное звание: 
Доцент по кафедре физики полупроводников, Высшая аттестационная комиссия при Совете Министров СССР, 1987 г.
Профессор по кафедре физики полупроводников, Федеральная служба по надзору в сфере образования и науки Российской Федерации, 2008 г.
Научные интересы: 
Твердотельная электроника и радиофизика СВЧ и КВЧ
Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах и приборах в СВЧ и КВЧ диапазонах
Квантово-размерные полупроводниковые структуры и эффекты
Математическое моделирование физических процессов
Педагогические инновации
Общий стаж: 
42 года
Стаж по специальности: 
42 года
Работа в университете: 
Старший лаборант, кафедра физики твердого тела, с 1978 по 1979
Ассистент, кафедра физики твердого тела, с 1979 по 1981
Ассистент, кафедра физики полупроводников, с 1981 по 1985
Доцент, кафедра физики полупроводников, с 1985 по 2001
Профессор, кафедра физики полупроводников, с 2001 по н.в.
Заведующий кафедрой, кафедра физики полупроводников, с 2010 по н.в.
Премии и награды: 
Значок «ЗА ОТЛИЧНУЮ УЧЕБУ» от ЦК ВЛКСМ и Министерства высшего и специального образования СССР, 1974 г.
ДИПЛОМ лауреата премии Саратовского обкома ВЛКСМ и областного совета НТО им. А.С. Попова за 1983 год в области науки, техники и производства, 1984 г.
Соросовский доцент (SOROS ASSOCIATE PROFESSOR), 2001 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Министерства образования Саратовской области, 2006 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Министерства промышленности и энергетики Саратовской области, 2009 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Министерства образования и науки Российской Федерации, 2012 г.
Звание «Ветеран труда», 2013 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Администрации муниципального образования «Город Саратов», 2015 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА с вручением памятного знака в ознаменование 110-летия СГУ, 2019 г.
Нагрудный знак «Профессор СГУ», 2019 г.
Биографический текст: 

Родился 23 февраля 1953 г. в Саратове.

До 7 класса учился в средней школе № 10  г. Саратова.

В 1970 г. окончил физический класс физико-математической средней школы № 13  г. Саратова.

В 1975 г. окончил с отличием физический факультет Саратовского ордена Трудового Красного Знамени государственного университета им. Н.Г. Чернышевского (СГУ) по специальности «полупроводники и диэлектрики», а в 1978 г. – аспирантуру кафедры физики твердого тела СГУ.

С 1978 г. работает в СГУ (старший лаборант, ассистент, доцент, профессор, заведующий кафедрой).

В 1982 г. защитил диссертацию на степень кандидата технических наук.

В 1984 г. стал Лауреатом премии Саратовского Обкома ВЛКСМ и областного совета НТО им. А.С. Попова в области науки, техники и производства.

В 1993 г. был одним из основных инициаторов и создателей Лицея «Полупроводниковая электроника» на базе школы № 37 и школы № 9  г. Аткарска Саратовской области (с 1998 г.), который патронировался кафедрой физики полупроводников СГУ, успешно и плодотворно функционировал до 2014 г. С момента создания являлся заместителем научного руководителя и научным руководителем Лицея «Полупроводниковая электроника», преподавателем специального курса «Физика в примерах и задачах» для лицеистов 8 – 11 классов.

В 2000 г. успешно защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. С 2001 г. - профессор кафедры физики полупроводников СГУ. В 2008 г. присвоено ученое звание профессора. С 2010 г. – заведующий кафедрой физики полупроводников СГУ.

Принимал участие и выступал с докладами на многих Всесоюзных, Всероссийских и Международных научных конференциях и симпозиумах. Был исполнителем, ответственным исполнителем, заместителем научного руководителя, научным руководителем многих госбюджетных и хоздоговорных НИР, выполнявшихся по постановлениям Правительства СССР и Российской Федерации, координационным планам АН СССР и РАН, Минвуза РСФСР, Российским и Международным грантам, нескольких договоров о научно-техническом сотрудничестве с ведущими научными организациями страны, принимал активное участие в реализации инновационно-образовательной программы СГУ в 2007 – 2008 гг., был руководителем разработки основной образовательной программы (ООП) бакалавриата по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» с профилем подготовки «Физика и технология твердотельных электронных микро- и наноструктур» в рамках реализации программы НИУ СГУ в 2010 – 2011 гг. В 2014 г. был руководителем разработки и одним из основных разработчиков основной образовательной программы (ООП) магистратуры по направлению 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» с профилем подготовки «Функциональные и интеллектуальные материалы и структуры для электроники и биомедицины». Является научным руководителем двух магистерских программ кафедры.

Был научным руководителем трех успешно защищенных кандидатских диссертаций (Глуховской Е.Г. – 2005 г.; Разумихин К.А. – 2006 г.; Сергеев С.А. – 2010 г.). Постоянно руководит исследовательской работой аспирантов, магистрантов, соискателей и студентов.

Член Ученого совета СГУ, член Ученого совета и председатель Научно-методической комиссии факультета нано- и биомедицинских технологий СГУ, член докторского диссертационного совета Д 212.243.01 на базе Саратовского национального исследовательского государственного университета имени Н.Г. Чернышевского по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», член докторского диссертационного совета Д 212.278.01 на базе ФГБОУ ВО «Ульяновский государственный университет» по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников», член Федерального учебно-методического объединения в системе высшего образования по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», руководитель научного семинара кафедры, научно-методический руководитель учебной лаборатории полупроводниковой электроники кафедры физики полупроводников.

 

За время работы в СГУ разработал и читал многие курсы и дисциплины, связанные с физикой и техникой полупроводников, твердотельной электроникой и математическим моделированием.

 

Автор около 300 научных и учебно-методических публикаций, 12 авторских свидетельств СССР и патентов РФ на изобретения.

Преподаваемые дисциплины: 
Физические основы твердотельной электроники
Твердотельная электроника
Твердотельная электроника и микроэлектроника
Физика твердотельных параметрических приборов СВЧ
Современные проблемы электроники
Современные проблемы твердотельной электроники
Основы математического моделирования в твердотельной электронике
Математические модели в естествознании и технике
Основы организации научно-исследовательской работы
Введение в специальность
Основные научные публикации: 

1. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gavrikov M.V. Investigation of indium antimonide nanoparticles, obtained by the method of liquid chemical etching // Journal of Physics: Conference Series. 1410 (2019). P. 1-4. 012048. doi:10.1088/1742-6596/1410/1/012048.

 

2. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gavrikov M.V. Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS. 2019. 10 (6). P. 720-724. DOI 10.17586/2220-8054-2019-10-6-720-724.

 

3. Жуков Н.Д., Михайлов А.И., Мосияш Д.С. О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках // ФТП. 2019. Т. 53, вып. 3. С. 340-344. ISSN 0015-3222.

 

4. Zhukov N.D., Mikhailov A.I., Mosiyash D.S. Mechanism and Features of Field Emission in Semiconductors // Semiconductors. 2019. Vol. 53, Is. 3. P. 340-344. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).

 

5. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Glukhovskoy E.G., Shishkin M.I., Gavrikov M.V. Methodology of analyzing the A2B6 semiconductor quantum dots parameters // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2018, 9 (4), P. 464–467; doi: 10.17586/2220-8054-2018-9-4-464-467.

 

6. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И.А., Глуховской Е.Г. Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV // ФТП. 2018. Т. 52, вып. 6. С. 603-607. ISSN 0015-3222.

 

7. Study of the Properties of II–VI and III–V Semiconductor Quantum Dots / A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, I.A. Gorbachev and E.G. Glukhovsky // Semiconductors. 2018. Vol. 52, Is. 6. P. 750-754. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).

 

8. Жуков Н.Д., Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Мосияш Д.С., Хазанов А.А., Шишкин М.И. Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре // ФТП. 2018. Т. 52, вып. 1. С. 83-88. ISSN 0015-3222.

 

9. Peculiarities of the Properties of III–V Semiconductors in a Multigrain Structure / N.D. Zhukov, V.F. Kabanov, A.I. Mihaylov, D.S. Mosiyash, Ya.E. Pereverzev, A.A. Hazanov and M.I. Shishkin // Semiconductors. 2018. Vol. 52, Is. 1. P. 78-83. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).

 

10. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И.А., Казак А.В., Усольцева Н.В., Глуховской Е.Г. Особенности электронных свойств квантовых точек состава А2B6 в пленках Ленгмюра-Блоджетт // Известия Академия наук. Серия физическая, 2017, 81 (12). С. 1668-1671. ISSN 0002-3353 (печатная версия).

 

11. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gorbachev I.A., Kazak A.V., Usol’tseva N.V., Glukhovskoy E.G. Electronic Properties of A2B6 Quantum Dots Incorporated into Langmuir–Blodgett Films // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2017, Vol. 81, No. 12, pp. 1472–1475.; doi: 10.3103/S1062873817120231. ISSN 1066-5285 (печатная версия). ISSN 1573-9171 (онлайновая версия).

 

12. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники и наноэлектроники. Планы семинарских занятий. – Germany. Saarbrücken: Издательский Дом: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2017. – 228 с. ISBN: 978-3-659-88082-7.

 

13. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D., Glukhovskoy E.G. Features of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2017, 8 (5), P. 596–599. ISSN 2220-8054 (Print version). ISSN 2305-7971 (Online version).

PACS 73.22.f, 73.21.La.  DOI 10.17586/2220-8054-2017-8-5-596-599.

 

 

Публикации до 2016 г.

 

14. Патент на полезную модель № 161399. RU 161399 U1. МПК H01L 27/144 (2006.01); H03B 7/00 (2006.01). Микроразмерный генератор с оптическим управлением / А.И. Михайлов, И.О. Кожевников (РФ). Заявка № 2015117765. Приоритет от 13 мая 2015 г. Зарегистрировано в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 31 марта 2016 г. Срок действия патента истекает 13 мая 2025 г. Опубликовано 20.04.16., Бюл. № 11.

15. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И А., Глуховской Е.Г. Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe // Письма в ЖТФ. – 2016. – Т. 42, вып. 15. – С. 51-58. – ISSN 0320-0116.

16. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gorbachev I.A., Glukhovskoi E.G. A study of specific features of the electronic spectrum of quantum dots in CdSe semiconductor // Technical Physics Letters, 42(8), 796-798). http://link.springer.com/article/10.1134/S1063785016080137. Technical Physics Letters August 2016, Volume 42, Issue 8,  pp 796–798

17. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. Проявление размерного квантования на выступах шероховатой поверхности полупроводников A3B5 // Письма в ЖТФ. – 2015. – Т. 41, вып. 21. – С. 88-94. – ISSN 0320-0116.

18. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D. Manifestation of Size Quantization on Protrusions on a Rough A3B5 Semiconductor Surface // Technical Physics Letters. – 2015. – Vol. 41, No. 11. – P. 1065-1067. – ISSN 1063-7850.

19. Идентификация нуклеотидов путем измерения тока через них при протягивании ДНК через нанопору / А.А. Клецов, К.И. Косолапова, А.С. Чумаков, В.А. Глухова, А.И. Михайлов, Е.Г. Глуховской // Известия Академии наук. Серия химическая. - 2015, № 10. – С. 2325-2329. - ISSN 0002-3353.

20. Кожевников И.О., Михайлов А.И., Браташов Д.Н. Исследование влияния топологии контактных площадок на воспроизводимость параметров колебаний тока в мезапланарных структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. – 2015. Том 15, вып. 1. – С. 51-56. – ISSN 1814-733X. - ISSN 1817-3020.

21. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2015. – Т. 58, № 4. – С. 59-64. – ISSN 1810-3189.

22. Alexandr I. Mikhailov, Anton V. Mitin, Ilya O. Kozhevnikov. Peculiarities of stable oscillations of high amplitude current occuring in long high-impedance planar-epitaxial gallium-arsenide-based structures // Radioelectronics and communications systems. – 2015. – Vol. 58, № 4. – P. 187-190. – ISSN 1810-3189.

23. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия // Письма в ЖТФ. – 2015. – Т. 41, вып. 12. – С. 8-14. – ISSN 0320-0116.

24. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D. Peculiarities of Field Electron Emission from Submicron Protrusions on a Rough InSb Surface // Technical Physics Letters. – 2015. – Vol. 41, No. 6. – P. 568-570. – ISSN 1063-7850.

25. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2014. - Т. 17, № 4. - С. 64-69. - ISSN 1810-3189.

26. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Оптимизация алгоритма математической модели установления распределения заряда и электрического поля в многослойной полупроводниковой структуре с металлическими контактами // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. Физика. – 2013, № 4 (28). – С. 133-146. - ISSN 2072-3040.

27. Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии: Сборник статей / А.И. Михайлов, А.Г. Роках, С.А. Сергеев и др. / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Издательский центр «Наука», 2013. – 304 с. - ISBN 978-5-9999-1719-5.

28. Михайлов А.И., Митин А.В. Экспериментальное исследование спектра колебаний тока в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах арсенида галлия в условиях засветки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2011. - Т. 14, № 4. - С. 87-91. - ISSN 1810-3189.

29. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Возбуждение волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью полосковым барьером Шоттки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2011. - Т. 14, № 1. - С. 45-50. - ISSN 1810-3189.

30. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в асимметричных тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 4. - С. 70-74. - ISSN 1810-3189.

31. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в асимметричных тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 2. - С. 102-107. - ISSN 1810-3189.

32. Сергеев С.А., Михайлов А.И., Сергеева Б.В. Эффективность спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // В мире научных открытий. – 2010. - № 4 (10). – Часть 6. – С. 49-52. - ISSN 2072-0831.

33. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 1. - С. 73-81. - ISSN 1810-3189.

34. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Граничная частота усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 1. - С. 33-37. - ISSN 1810-3189.

35. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. - Вып. 16. - С. 38-39. – ISSN 0868-6238.

36. Михайлов А.И., Глуховской Е.Г. Методика исследования сорбции паров этанола мономолекулярной пленкой Ленгмюра-Блоджетт арахиновой кислоты // Журнал физической химии. – 2008. – Т. 82, № 7. – С. 1-5. - ISSN 0044-4537.

37. Mikhailov A.I., Glukhovskoi E.G. A Procedure for Studying the Sorption Vapor with a Monomolecular Langmuir-Blodgett Arachic Acid Film // Russian Journal of Physical Chemistry A. – 2008. – Vol. 82, № 7. – P. 1234-1238. - ISSN 0036-0244.

38. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2008. - Т. 11, № 1. - С. 100-108. - ISSN 1810-3189.

39. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники: Учебное пособие для студ. фак. нано- и биомедицинских технологий. – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2007. – 164 с., ил. - ISBN 978-5-292-03712-5. – Усл. печ. л. 9,53 (10,25). Уч.-изд. л. 9,2.

40. Михайлов А.И., Разумихин К.А. Резонансная система коаксиально-волноводного генератора второй гармоники на диодах Ганна КВЧ-диапазона // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2007. - Т. 10, № 2. - С. 57-64. - ISSN 1810-3189.

41. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2007. - Т. 10, № 2. - С. 49-56. - ISSN 1810-3189.

42. Молекулярная электроника и технология / Б.Н. Климов, А.И. Михайлов, Е.Г. Глуховской, Д.А. Горин, А.А. Невешкин, С.А. Портнов // Нанотехника. – 2007. - № 1(9). С. 20-26. – ISSN 1816-4498.

43. Investigation of absorbtion and reflection spectra of aqueous suspensions of nanoparticles in X band of microwave bandwidth / S.A. Sergeev, S.A. Portnov, D.A. Gorin, A.I. Mikhailov, S.S. Rumyantseva, I.V. Taranov, V.V. Kislov, G.B. Sukhorukov // Saratov Fall Meeting 2006: Nanostructures and nanoparticles: fabrication, properties and application / Ed. by D.A. Zimnyakov, N.G. Khlebtsov. Proc. SPIE; Vol. 6536, P. 42-50. (Proc. SPIE 6536, 653606 (2007); doi:10.1117/12.753431)

44. Михайлов А.И., Митин А.В. Система уравнений локально-полевой модели динамики зарядов и тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. - Вып. 13. - С. 74-78. - ISSN 0868-6238.

45. Влияние микроволнового излучения на полимерные микрокапсулы с неорганическими наночастицами / Д.А. Горин, Д.Г. Щукин, А.И. Михайлов, К. Кёлер, С.А. Сергеев, С.А. Портнов, И.В. Таранов, В.В. Кислов, Г.Б. Сухоруков // Письма в ЖТФ. – 2006. – Т. 32, вып. 2. – С. 45-50. – ISSN 0320-0116.

46. Михайлов А.И., Разумихин К.А. Исследование динамики электронов в полупроводниковых структурах диодов Ганна на основе двухтемпературной модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2006. - Т. 9, № 2. - С. 74-78. - ISSN 1810-3189.

47. Михайлов А.И., Разумихин К.А. Двухтемпературная модель междолинных переходов в n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2004. - Вып. 10. - С. 71-72. - ISSN 0868-6238.

48. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Диодный коаксиально-волноводный генератор третьей гармоники колебаний // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2003. - Т. 46, № 8. - С. 64-68. – ISSN 0021-3470.

49. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия // ЖТФ. - 2003. - Т. 73, вып. 6. - С. 103-109. – ISSN 0044-4642.

50. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Эквивалентная схема четвертьволнового коаксиального резонатора с нагружающей емкостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. - Вып. 8. - С. 17. - ISSN 0868-6238.

51. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Эквивалентная схема цилиндрического резонатора // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. - Вып. 8. - С. 21. - ISSN 0868-6238.

52. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Оценка влияния полупроводниковой структуры диода Ганна на параметры резонансной системы генератора КВЧ-диапазона // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2002. - Т. 5, № 1. - С. 54-56. – ISSN 1810-3189.

53. Двинских В.А., Михайлов А.И., Лернер Д.М., Разумихин К.А. Коаксиальный генератор второй гармоники с кольцевой полупроводниковой структурой диода Ганна // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2002. - Т. 5, № 1. - С. 33-35. – ISSN 1810-3189.

54. Михайлов А.И. Методика разъяснения понятия “моль” и постоянной Авогадро // Преподавание дисциплин естественного цикла в вузе и школе. Преемственность и традиции: Сб. науч. ст. - Саратов: ООО “Исток - С”, 2001. - С. 37-40. – ISBN 5 – 901255 - 02 X.

55. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Диодный коаксиально-волноводный генератор трехмиллиметрового диапазона // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2001. - Вып. 7. - С. 21-22. – ISSN 0868-6238.

56. Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Б.Н. Климов, А.И. Михайлов, А.Г. Роках и др. / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - 188 с. – ISBN 5-94409-005-7. – (11,75 п.л.).

57. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе n-GaAs // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - C. 69-82. - ISBN 5-94409-005-7.

58. Михайлов А.И., Науменко Г.Ю., Макарова М.Ф. Лицей “Полупроводниковая электроника” // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - C. 168-178. - ISBN 5-94409-005-7.

59. Свидетельство на полезную модель 16637 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, К.А. Разумихин, Д.М. Лернер (РФ). - № 2000119558/20; Заявлено 31.07.2000.; Опубл. 20.01.2001.; Приоритет от 31.07.2000., Бюл. № 2.

60. Михайлов А.И., Лернер Д.М., Разумихин К.А. Исследование влияния рабочего напряжения на пролетную частоту генератора Ганна // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2000. - Вып. 6. - С. 75-77. - ISSN 0868-6238.

61. Михайлов А.И. Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах: Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: Специальности 01.04.03 - "Радиофизика" и 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков". - Защищена 09.06.2000.; Утв. 10.11.2000; Диплом ДК № 005514. - Саратов, 2000. - 364 с.: ил. - Библиогр.: С. 320-349.

62. Михайлов А.И. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, вып. 5. - С. 80-85. – ISSN 0320-0116.

63. Михайлов А.И., Сергеев С.А., Горячев А.А. Интегрированный преобразователь частоты миллиметрового диапазона длин волн на волнах пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2000. - Т. 43, № 2. - С. 16-24. – ISSN 0021-3470.

64. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // ЖТФ. - 2000. - Т. 70, вып. 2. - С. 48-52. – ISSN 0044-4642.

65. Михайлов А.И. О понятии "моль" и постоянной Авогадро // Физика в школе. - 1999. - № 5. - С. 69-70. – ISSN 0130-5522.

66. Свидетельство на полезную модель 11942 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, К.А. Разумихин (РФ). - № 99112087/20; Заявлено 08.06.99.; Опубл. 16.11.99.; Приоритет от 08.06.99., Бюл. № 11.

67. Михайлов А.И. Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1999. - Т. 42, № 10. - С. 46-50. – ISSN 0021-3470.

68. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки // ЖТФ. - 1999. - Т. 69, вып. 1. - С. 128-130. – ISSN 0044-4642.

69. Свидетельство на полезную модель 9351 РФ, МКИ 6 H 03 D 7/00. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). - № 98117279/20; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 16.02.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 2.

70. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Влияние концентрации электронов в пленке арсенида галлия на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25, вып. 4. - С. 85-90. – ISSN 0320-0116.

71. Барыбин А.А., Михайлов А.И., Клецов А.А. Коэффициенты связи волн пространственного заряда при их параметрическом взаимодействии в тонкопленочных структурах арсенида галлия // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 88.

72. Михайлов А.И., Лернер Д.М. Сравнительный анализ динамики зарядов в структурах диодов Ганна на n-GaAs и n-InP // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 99.

73. Михайлов А.И., Лернер Д.М. Теоретическое и экспериментальное исследование влияния напряжения питания на основную частоту колебаний генераторов Ганна в пролетном режиме // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 143.

74. Михайлов А.И., Двинских В.А., Лернер Д.М. Связь коаксиальных резонаторов через кольцевую полупроводниковую структуру // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 176.

75. Фильтрация сигналов в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, А.А. Горячев, И.В. Митин // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 3 (24). - С. 101-102.

76. Патент 2138116 РФ, МКИ H 03 D 7/00, 7/12, H 01 L 27/095. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). - № 98116381/09; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 20.09.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 26.

77. Михайлов А.И., Лернер Д.М. Связь динамики домена с формой прикатодной "зарубки" диода Ганна // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т. 24, вып. 21. - С. 16-22. – ISSN 0320-0116.

78. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1998. - Вып. 4. - С. 75-76. – ISBN 5-292-02284-5.

79. Свидетельство на полезную модель 5304 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов (РФ). - № 96117340/20; Заявлено 26.08.96.; Опубл. 16.10.97.; Приоритет от 26.08.96 г., Бюл. № 10.

80. Патент 2081482 РФ, МКИ H 01 P 5/107. Волноводно-копланарный переход / А.И. Михайлов, C.А. Cеpгеев (РФ). - № 94022119/09; Заявлено 16.06.94.; Опубл. 10.06.97.; Приоритет от 16.06.94., Бюл. № 16.

81. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Преобразование частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью // Письма в ЖТФ. - 1996. - Т. 22, вып. 24. - С. 75-78. – ISSN 0320-0116.

82. Михайлов А.И. О транзисторах // Физика в школе. - 1996. - № 4. - С. 16. – ISSN 0130-5522.

83. Михайлов А.И., Cеpгеев C.А. Параметричеcкое взаимодейcтвие волн проcтранcтвенного заряда в тонкопленочных полупроводниковых cтруктурах c отрицательной дифференциальной проводимоcтью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1995. - Т. 38, № 10. - С. 43-51. – ISSN 0021-3470.

84. Михайлов А.И. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия // Письма в ЖТФ. - 1995. - Т. 21, вып. 21. - С. 89-95. – ISSN 0320-0116.

85. Патент 2019902 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Cвеpхвыcокочаcтотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов, С.Г. Калинин (РФ). - № 4948294/21; Заявлено 26.06.91.; Опубл. 15.09.94.; Приоритет от 26.06.91., Бюл. № 17.

86. Михайлов А.И., Панфилов В.Б. Влияние пpофиля легиpования активной облаcти диода Ганна на фоpму тока и амплитуды его гаpмоничеcких cоcтавляющих // Изв. ВУЗов. Радиоэлектpоника. - 1992. - Т. 35, № 1. - С. 76-80. – ISSN 0021-3470.

87. Игнатьев Ю.М., Михайлов А.И. Параметрическое усиление волн пространственного заряда в полупроводнике с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1990. - Т. 33, № 10. - С. 76-78. – ISSN 0021-3470.

88. Авторское свидетельство 1498360 СССР, МКИ H 03 B 7/14, 9/12. Генератор второй гармоники / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов (СССР). - № 1319232; Заявлено 03.07.87.; Приоритет от 03.07. 87.

89. Михайлов А.И. Твердотельные параметрические приборы сверхвысоких частот: Учебн. пособие. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. - 155 с. (Усл. печ. л. 9,75). – ISBN 5-292-00262-3.

90. Параметрические колебания в генераторах Ганна / В.А. Двинских, В.А. Иванченко, Ю.М. Игнатьев, А.И. Михайлов // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Физические свойства полупроводников и структур на их основе: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1988. - Вып. 13. - С. 47-52. – ISBN 5-292-00048-5.

91. Авторское свидетельство 1319232  СССР, МКИ H 03 B 7/14. Генератор второй гармоники / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, В.А. Иванченко, С.Г. Калинин (СССР). - № 3881843/24-09; Заявлено 08.04.85.; Опубл. 23.06.87.; Приоритет от 08.04. 85., Бюл. № 23.

92. Авторское свидетельство 1154730 СССР, МКИ H 03 F 3/10. Способ усиления мощности СВЧ колебаний / В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов (СССР). - №  3491447/24-09; Заявлено 14.09.82.; Опубл. 07.05.85.; Приоритет от 14.09.82., Бюл. № 17.

93. Модуляция диэлектрической проницаемости полупроводника сильным СВЧ-полем / А.А. Бушков, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1982. - Т. 25, № 10. - С. 95-97. – ISSN 0021-3470.

94. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Усиление комбинационных частот в арсениде галлия при взаимодействии слабой волны с волной накачки // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1981. - Вып. 9. - С. 75-80.

95. Михайлов А.И. Динамические параметры варакторных диодов с барьером Шоттки с малым значением высоты потенциального барьера // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1981. - Вып. 6 (330). - С. 28-30.

96. Параметрическое усиление СВЧ-колебаний в стабилизированном сверхкритическом диоде Ганна / А.А. Бушков, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1981. - Вып. 7 (331). - С. 49-50.

97. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие СВЧ колебаний в диоде Ганна // ФТП. - 1980. - Т. 14, вып. 6. - С. 1238-1240.

98. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие высокочастотных волн в n-GaAs // ФТП. - 1979. - Т. 13, вып. 6. - С. 1172-1174.

99. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Усиление высокочастотных волн в полупроводниках с ОДП // ФТП. - 1978. - Т. 12, вып. 3. - С. 601-603.

100. Климов Б.Н., Иванченко В.А., Михайлов А.И. Частотная зависимость эффективной температуры в n-InSb, n-GaAs и p-Ge // ФТП. - 1978. - Т. 12, вып. 1. - С. 204-206.

101. К вопросу о проектировании двухкаскадного полупроводникового параметрического усилителя миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки / Ю.Д. Биленко, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Физические основы радиоэлектроники и полупроводников: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во СГПИ, 1977. - Вып. 2. - С. 54-60.

Повышение квалификации: 
«Использование электронной информационно-образовательной среды и информационно-коммуникационных технологий в образовательном процессе СГУ», ИДПО ФГБОУ ВПО «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2016 г.
«Противодействие коррупции», ИДПО ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2019 г.