Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
ОСНОВАН В 1909 ГОДУ
  • ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ
наверх
26.05.2025 / 16:31
Текст:  По материалам Института физики
Фото:  Виктория Викторова, Глеб Пономарев

22-23 мая в Саратовском университете состоялась двенадцатая Всероссийская научная школа-семинар «Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами».

Школа-семинар в этом году посвящена 80-летию кафедры физики твёрдого тела. Это одно из крупнейших научных мероприятий, проводимых СГУ. Число участников всероссийской научной школы-семинара достигло 198, среди них 93 молодых учёных из 15 городов России и других стран.

На открытии участников Школы-семинара приветствовал проректор по научной работе и цифровому развитию СГУ А.А. Короновский. Он отметил, что Школа-семинар стала традиционной и собирает как маститых учёных, так и молодых учёных в области электроники. Это позволяет объединить учёных и специалистов разных научных направлений и отраслей промышленности от микро- и радиоэлектроники до медико-биологических технологий.

Первый заместитель министра промышленности и энергетики Саратовской области А.С. Изтлеуов поблагодарил организаторов школы-семинара, которая проводится с 2014 года. В этом году она посвящена юбилею кафедры физики твёрдого тела – ведущего подразделения, где ведётся подготовка специалистов по направлению «Электроника и наноэлектроника» для предприятий – флагманов нашей промышленности.

В своём выступлении Александр Сагинаевич сделал акцент на том, что вопросы, связанные с развитием радиоэлектроники, СВЧ-электроники, находятся на особом контроле государства. Обеспечение технологического суверенитета в критически важных отраслях экономики невозможно без развития данной сферы.

А.С. Изтлеуов,
заместитель министра промышленности и энергетики Саратовской области:

Открывшаяся сегодня в стенах Саратовского университета школа-семинар – значимая и авторитетная площадка для обсуждения ключевых проблем развития передовых высоких технологий. Исследованиям и разработкам новой компонентной базы отечественной микро- и наноэлектроники, радиоэлектроники, СВЧ-электроники и внедрению разработок в промышленность уделяется огромное внимание, тема на особом контроле Минпромторга России.

Заведующий кафедрой оптики и биофотоники, член-корреспондент РАН, профессор В.В. Тучин отметил роль кафедры физики твёрдого тела и её заведующих З.И. Кирьяшкиной и Д.А. Усанова.

Валерий Викторович подчеркнул, что это единственная кафедра, сохранившая своё название, данное великими основателями кафедры. И это название остаётся актуальным и в наше время. В.В. Тучин вспомнил, что первый заведующий кафедрой оптики М.Л. Кац целый год, до момента её открытия, был сотрудником кафедры физики твёрдого тела.

Успешной работы, интересных докладов и дискуссий участникам школы-семинара от директора Института радиотехники и электроники (ИРЭ) имени В. А. Котельникова РАН, академика РАН С.А. Никитова и от себя лично пожелал директор саратовского отделения ИРЭ профессор Ю.А. Филимонов.

Юрий Александрович отметил, что одним из важнейших направлений современной радиоэлектроники и материаловедения является использование метаматериалов для создания элементной базы микроэлектроники. В развитии этого современного научного направления значительную роль играет директор Института радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН, академик РАН С.А. Никитов.

От имени руководства АО «НПП «Алмаз» участников школы-семинара приветствовал начальник научно-производственного комплекса «Модульные системы» В.С. Тяжлов. В своём выступлении он сказал, что выпускники-физики Саратовского университета, и в частности выпускники кафедры физики твёрдого тела, находят достойное применение своих знаний и умений на предприятии «Алмаз» – одном из лидеров электронной промышленности России. Являясь выпускником кафедры физики твёрдого тела, Виталий Семёнович пожелал кафедре дальнейшей успешной работы по подготовке высококвалифицированных кадров.

Генеральный директор АО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон» С.Н. Афанасьев поблагодарил руководство университета и организаторов школы-семинара за приглашение. Сергей Николаевич сказал, что подготовка специалистов в Саратовском университете по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники СВЧ является жизненно необходимой для дальнейшего успешного развития предприятия. Ещё обучаясь в Лицее №37, он слушал лекции профессоров Б.Н. Климова и А.И. Михайлова о полупроводниковой электронике. С.Н. Афанасьев поздравил участников школы-семинара с этим важным событием не только для Саратовского университета, но и для всей России. Отдельные слова благодарности он произнёс в адрес коллектива кафедры физики твёрдого тела.

Проректор по административной деятельности и управлению персоналом, выпускник кафедры физики твёрдого тела, профессор А.В. Стальмахов рассказал, что кафедра дала ему импульс в движении по профессиональной карьере: защите кандидатской и докторской диссертаций, работе на предприятии, в Институте МВД и, наконец, в Саратовском университете. Андрей Всеволодович вспомнил лекции по физике полупроводников З.И. Кирьяшкиной и подчеркнул, что только кафедра физики твёрдого тела, которая была одной из кафедр, образовавших физический факультет, единственная продолжает свою научно-образовательную деятельность. Более того, она сохранила своё название.

В своём приветствии заместитель директора по науке Института радиоэлектроники и информационных технологий – РТФ Уральского федерального университета имени первого Президента России Б.Н. Ельцина К.А. Игнатков поздравил участников Школы-семинара с началом работы. Кирилл Александрович напомнил о сотрудничестве с кафедрой физики твёрдого тела в области автодинных радиоэлектронных технологий и подчеркнул необходимость развития партнёрства института радиоэлектроники и информационных технологий – РТФ Уральского федерального университета с Институтом физики СГУ.

Директор Института физики, выпускник кафедры физики твёрдого тела, профессор С.Б. Вениг поздравил весь коллектив Института физики с открытием школы-семинара. Сергей Борисович отметил, что ежегодно проводимая конференция стала значимым научным событием не только для Института физики, но и для всего Саратовского университета. В этом году число участников достигло 198 человек, среди которых – 93 молодых учёных из 15 городов России и других стран. С.Б. Вениг напомнил, что не только кафедра физики твёрдого тела отмечает 80-летие: 80 лет исполняется и физическому факультету СГУ.

В своём приветственном выступлении председатель диссертационного совета 24.2.392.01 профессор В.М. Аникин рассказал, что он имел честь работать как с З.И. Кирьяшкиной в качестве замдекана по учебной работе, так и с Д.А. Усановым в качестве учёного секретаря диссертационного совета на протяжении почти 20 лет. Валерий Михайлович приветствовал участников школы-семинара и поздравил коллектив кафедры физики твёрдого тела с 80-летием. Он напомнил, что первый обзор в СССР по теории электронных полупроводников был опубликован в 1935 году А.Н. Арсеньевой-Гель и в этом же году в СГУ на должность доцента кафедры общей физики был принят ближайший сотрудник академика А.Ф. Иоффе – В.П. Жузе, сформировавший коллектив кафедры на начальном этапе.

После приветственных выступлений началось пленарное заседание, которое открыл заведующий кафедрой физики твёрдого тела профессор А.В. Скрипаль. Александр Владимирович подробно рассказал в своём докладе «Кафедре физики твёрдого тела 80 лет» о славном научном, производственном и педагогическом пути кафедры с момента рождения до настоящего времени.

С докладами также выступили профессор В.А. Быков «Современное состояние сканирующей зондовой микроскопии в России – от микро- и наноэлектроники до молекулярной биологии и медицины» (НТ-МДТ, Зеленоград), профессор В.Э. Иванов «Современное состояние и перспективы развития методов радиозондирования атмосферы в России» (Уральский федеральный университет, Екатеринбург), профессор Д.А. Зимняков «Ми-резонансная фотоника ансамблей полупроводниковых частиц: управление резонансными свойствами с использованием лазерной накачки» (Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.).

Во второй половине дня работала Секция «Полупроводниковая микро- и наноэлектроника» и состоялась презентация стендовых докладов.

23 мая участники выступили в секциях: «Фотонные кристаллы и метаматериалы», «Медико-биологические системы и технологии», «Твердотельная СВЧ-электроника», «Терагерцовые технологии».

В рамках школы-семинара ведущие российские учёные из 32 вузов и научно-производственных предприятий России поделились со своими молодыми коллегами достижениями в области исследований и разработки новой компонентной базы микро- и наноэлектроники, радиоэлектроники, высокоэффективных функциональных устройств СВЧ и терагерцового диапазонов, медицинских приборов и систем. Всего было представлено 75 докладов.

В 2025 году в Школе-семинаре приняли участие 198 учёных из 15 городов России и других стран, в том числе 93 молодых учёных.