Методы создания новых типов устройств СВЧ-диапазона, расчёта и измерения электродинамических параметров фотонных кристаллов в СВЧ-диапазоне частот
•Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Одномерные СВЧ фотонные кристаллы. Новые области применения. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2016. 144 с. ISBN 978-5-292-04402-4 (Монография)
• Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Резонансные особенности в разрешенных и запрещенных зонах сверхвысокочастотного фотонного кристалла с нарушением периодичности// Радиотехника и электроника. 2013, том. 58. № 11. С. 1071–1076.
• Усанов Д.А., Мерданов М.К., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. СВЧ фотонные кристаллы. Новые сферы применения// Известия Саратовского ун-та. Новая серия. Серия 1. Физика. 2015. Т. 15. Вып. 1. С. 57–73. I SSN 1814-733X, ISSN 1817- 3020
• Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Куликов М.Ю. Управляемые pin-диодами фотонные кристаллы и их применение// Антенны. №3. 2012. С. 9–14.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Евтеев С.Г. Волноводные фотонные структуры на резонансных диафрагмах// Радиотехника. 2015. № 10. С. 108–113.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Пономарев Д.В., Евтеев С.Г. СВЧ фотонные кристаллы - новый тип функциональных структур, применяемых в радиоэлектронике// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2016. Т. 19. №3. С. 17–24.
Построение модели «эффективной» среды для описания фотонного кристалла в СВЧ-диапазоне
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Горлицкий В.О. Волноводный фотонный кристалл, выполненный в виде диэлектрических матриц с воздушными включениями// Журнал технической физики. 2016. Т. 86, вып. 2. С. 65–70.
Исследование новых типов широкополосных согласованных на основе разупорядоченных фотонных кристаллов
• Усанов Д. А., Мещанов В. П., Скрипаль А. В., Попова Н. Ф., Пономарев Д. В. Широкополосные согласованные волноводные нагрузки на СВЧ фотонных кристаллах// Радиотехника. 2015. №7. С. 58–63.
•Усанов Д.А., Мещанов В.П., Скрипаль А.В., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В., Мерданов М.К. Согласованные нагрузки сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн на СВЧ фотонных кристаллах// Журнал технической физики. 2017. Т. 87, вып. 2. С. 216–220.
•Патент РФ 2 601 612 C1 МПК H01P 1/26 Волноводная согласованная нагрузка/ Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, В.П. Мещанов, Н.Ф. Попова, Д.В. Пономарев. Бюл. 31. Опубл. 10.11.2016. Заявка: 2015120704/28 2012137649/07 от 01.06.2015. Патентообладатель: Российская Федерация в лице которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)
Разработка брэгговских структур нового типа в СВЧ-диапазоне на основе чередующихся отрезков волноводно-щелевой линии передачи и регулярных отрезков волновода
• Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Мерданов М.К., Пономарев Д.В., Рязанов Д.С. Новые области применения СВЧ фотонных кристаллов// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2015. Т. 18. №3, часть 2. С. 6–19.
•Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Рязанов Д.С. Брэгговские сверхвысокочастотные структуры на волноводно-щелевых линиях// Радиотехника и электроника. 2016, том. 61. № 4. С. 321–326.
Расчет и моделирование непериодических волноводных структур, обладающих как запрещенной, так и разрешённой зоной пропускания в сверхвысокочастотном диапазоне
• Д. А. Усанов, С. А. Никитов, А. В. Скрипаль, А.П. Фролов, В.Е. Орлов Волноводы, содержащие рамочные элементы с электрически управляемыми характеристиками разрешенных и запрещенных зон// Радиотехника и электроника. 2014, том. 59. № 11. С. 1079–1084.
•Патент РФ 2 575 995 C2 МПК H01P 1/00 ВОЛНОВОДНАЯ СТРУКТУРА С РАЗРЕШЕННЫМИ И ЗАПРЕЩЕННЫМИ ЗОНАМИ Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль, В.Е. Орлов, А.П. Фролов. Бюл. 6. Опубл. 27.02.2016. Заявка: 2014109665/08 от 13.03.2014. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского».
Моделирование нового типа фотонных кристаллов – низкоразмерных волноводных СВЧ фотонных кристаллов, в качестве которых будут использованы структуры, содержащие периодически чередующиеся элементы, являющиеся источником волн высших типов
• Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А. В. Низкоразмерные волноводные СВЧ фотонные кристаллы// Доклады Академии Наук. Т. 448, № 4, Январь 2014. С. 406–409.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Дефектная мода в низкоразмерном волноводном СВЧ фотонном кристалле// Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42, вып. 10. С. 106–110.
•Патент РФ 2 587 405 C2 МПК H01P 1/00 НИЗКОРАЗМЕРНЫЙ СВЧ ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский, В.С. Тяжлов, А.В. Байкин. Бюл. 17. Опубл. 20.06.2016. Заявка: 2014117864/08 от 05.05.2014. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского».
Разработака методов измерения параметров полупроводниковых, диэлектрических и проводящих микро- и наноструктур с использованием частотных зависимостей коэффициентов отражения и прохождения взаимодействующего с фотонными кристаллами электромагнитного излучения СВЧ-диапазона
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах нанометровая металлическая пленка – диэлектрик// Письма в ЖТФ. 2007. Т. 3, вып. 2, с. 13–22.
• Dmitry Usanov, Alexander Skripal, Anton Abramov, Anton Bogolubov, Vladimir Skvortsov, Merdan Merdanov. Measurement of the Metal Nanometer Layer Parameters on Dielectric Substrates using Photonic Crystals based on the Waveguide Structures with Controlled Irregularity in the Microwave Band // Proc. of 37rd European Microwave Conference. Munich, Germany. 8–12th October 2007. P. 198–201.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на изолирующих подложках// Известия вузов. Электроника. 2007. №6. С. 25–32.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Романов А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Фотонные структуры в СВЧ-диапазоне и их применение для измерения параметров композитов с включениями из углеродных нанотрубок и жидких диэлектриков // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2010. Т. 13. № 3. С. 26–34.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. Волноводные фотонные кристаллы с характеристиками, управляемыми p–i–n-диодами // Известия вузов. Электроника. 2010. №1. С. 24–29.
• Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Методика измерения электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах по спектрам отражения электромагнитного излучения// Известия вузов. Электроника. 2006. №6. С. 27–35.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл–полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 5, с. 112–117.
• D.A. Usanov, Al.V. Skripal, A.V. Abramov, A.S. Bogolyubov, N.V. Kalinina. Measurements of thickness of metal films in sandwich structures by the microwave reflection spectrum // Proc. of 36rd European Microwave Conference. Manchester, UK. 10–15th September 2006. P. 921–924.
• A.V. Abramov, D.A. Usanov, A.V. Skripal, A.S. Bogolyubov. Microwave measurements of thickness and conductivity of nanometer metal-semiconductor structures // Proc. of 35rd European Microwave Conference. Paris, France. 4–6th October 2005. Vol. 1. P. 509–512.
• Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов — Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003. 312 с.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Поздняков В.А. СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах// Известия вузов. Электроника. 2004. №2. С. 76–84.
• Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Семёнов А.А., Абрамов А.В. Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металлических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках // Известия вузов. Электроника. 2005. №1. С. 68–77.
•Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Постельга А.Э., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. СВЧ-методы измерения электропроводности и толщины материалов и структур в широком диапазоне изменения их значений // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2011. Т. 14. № 3. С. 90–98.
• A.V. Abramov, D.A. Usanov, A.V. Skripal, A.S. Bogolyubov. Microwave measurements of thickness and conductivity of nanometer metal-semiconductor structures // Proc. of 35rd European Microwave Conference. Paris, France. 3–7th October 2005. Vol. 2. P. 509–512.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Микрополосковые фотонные кристаллы и их использование для измерения параметров жидкостей // Журнал технической физики. 2010. Т. 80, вып. 8, с. 143–148.
•Д.А. Усанов, А.Э. Постельга, Н.Ю. Сысоев Одновременное определение лектропроводности и толщины полупроводниковых слоев по спектру отражения СВЧ-излучения // Известия вузов. Электроника, 2011, №4(90), с. 71-77.
•Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Измерение параметров твердых и жидких диэлектриков на сверхвысоких частотах с использованием микрополосковых фотонных структур// Радиотехника и электроника. 2012, том. 57. № 2. С. 230–236.
•Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Постельга А.Э., Пономарев Д.В. Определение параметров тонких полупроводниковых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 443, № 5, Апрель 2012,. С. 564-566.
•Никитов С.А., Гуляев Ю.В., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Определение проводимости и толщины полупроводниковых пластин и нанометровых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 448, № 1, Январь 2013. С. 35-37.
• Патент РФ 2517200 C2 МПК G01N 22/00 Способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах «полупроводниковый слой–полупроводниковая подложка»/ Д.А. Усанов, С.А Никитов, А.В. Скрипаль, Д.В. Пономарев. Бюл. 15. Опубл. 27.05.2014. Заявка: 2012137649/07 от 03.09.2012
•Усанов Д. А., Никитов С. А., Скрипаль А. В., Пономарев Д. В., Латышева Е. В. Многопараметровые измерения эпитаксиальных полупроводниковых структур с использованием одномерных сверхвысокочастотных фотонных кристаллов// Радиотехника и электроника. 2016, том. 61. № 1. С. 45–53.
•Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристаллов // Известия вузов. Электроника. 2016. №2. С. 187–194.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Использование волноводно-диэлектрического резонанса для измерения параметров структуры нанометровая металлическая пленка – диэлектрик// Радиотехника. 2016. № 7. С. 10–16.
• Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2012660605. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль Ал.В., Абрамов А.В., Пономарев Д.В. Программа: Измерение параметров слоистых наноструктур «NanoLayer». Правообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского». Заявка № 2012618141. Поступила на регистрацию 27.09.2012. Дата регистрации 23 ноября 2012 г.
Разработка несколько типов высокоселективных СВЧ-резонаторов на основе так называемых низкоразмерных резонансных систем: СВЧ-резонатор на основе систем «штырь с зазором —близко расположенный короткозамыкатель», «емкостная диафрагма– близко расположенный короткозамыкатель», «индуктивная диафрагма–близко расположенная емкостная диафрагма», у которых обнаружена высокая чувствительность к возмущающим воздействиям
• Усанов Д.А., Горбатов С.С., Вениг С.Б., Орлов В.Е. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов// Письма в ЖТФ. 2000. Т.26, № 18. С.47-49.
• Усанов Д.А., Горбатов С.С., Вениг С.Б., Орлов В.Е. Полосовые частотные характеристики короткозамкнутого волновода, содержащего диафрагму сложной формы// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2000. Т.3, №2. С.30-32.
• Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансное пропускание волны в прямоугольном волноводе, содержащем близкорасположенные диафрагмы с неперекрывающимися отверстиями // Радиотехника и электроника. 2004.Т.49, №4.С.458-459.
• Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в волноводной системе «штырь с зазором-близкорасположенный поршень»// Известия Вузов Радио электроника. 2006. Т.49, №2. С.27 - 33.
•Усанов Д.А., Горбатов С.С. Электрически управляемый низкоразмерный СВЧ- резонатор // Приборы и техника эксперимента.-2006.- №3.-С.100-102.
•Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа "индуктивная диафрагма – емкостная диафрагма" // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 2010. №6. С. 66-69.
• Усанов Д. А., Горбатов С. С. Эффекты ближнего поля в электродинамических системах с неоднородностями и их использование в технике СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2011. 392 с.
• Усанов Д.А. Ближнеполевая сканирующая СВЧ-микроскопия. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2010. 100 с.
Усанов Д.А. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия и области ее применения // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2007. Т.10, №3. С.80-84.
Разработка автодинных систем для измерения толщин нанослоев, отличающихся меньшими габаритами, весом, потребляемой мощностью, высокой точностью измерений, простотой в эксплуатации и рекордными значениями чувствительности, превышающими чувствительность стандартных супергетеродинных систем
• Д.А. Усанов, А.Ю. Вагарин, А.А. Безменов. Устройство для измерений диэлектрической проницаемости материалов. Авторское свидетельство СССР № 1114979. Приоритет от 22.06.82. Опуб. в Бюл. № 35 07.08.84.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. Ун-та, 1999. 376 с.
Исследование распределения свободных носителей заряда и напряженности электрического поля в полупроводниковых структурах диодов Ганна с использованием метода ближнеполевой СВЧ-микроскопии. В результате была впервые установлена возможность существования в таких диодах стационарного многодоменного режима, что позволяет по-новому объяснить физику их работы
•Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого микроскопа// Известия вузов. Электроника. 2013. №2(100). С.77–83.
• Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Формирование многодоменной пространственной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна как нелинейный феномен// Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2013. Т. 21, №5. С. 51–59.
Измерения с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа стационарных распределений напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в базе n–i–p–i–n-структуры в режиме двойной инжекции при прямом смещении для различных значений плотности тока через диод
• Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю., Фадеев А.В., Калямин А.А. Пространственные осцилляции электрического поля и плотности заряда в кремниевом p-i-n диоде// Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40, вып. 21. С. 104–110.
Исследование возможности измерения нанослоев с использованием ближнеполевой микроскопии
• Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансное ближнеполевое устройство для СВЧ микроскопа // Пат RU2417379. Опуб. 27.04.2011
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Коротин Б.Н., Феклистов В.Б., Пономарев Д.В., Фролов А.П. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия нанометровых слоев металла на диэлектрических подложках // Известия вузов. Электроника. 2011. №5(91). С. 83–90.
• Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Горбатов С.С., Пономарев Д.В., Фролов А.П., Кваско В.Ю. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия наноструктур металл-диэлектрик// Электронная техника. Серия 1 «СВЧ-техника», 2012, вып. 3 (512), с. 71–81.
•Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Фролов А.П. Ближнеполевой сверхвысокочастотный микроскоп на основе фотонного кристалла с резонатором и регулируемым элементом связи в качестве зонда// Радиотехника и электроника. 2013, том. 58. № 12. С. 1071–1078.
• Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2012660603. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Абрамов А.В., Пономарев Д.В., Коротин Б.Н., Фролов А.П. Исследование характеристик ближнеполевого взаимодействия «NFMM». Правообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского». Заявка № 2012618139. Поступила на регистрацию 27.09.2012. Дата регистрации 23 ноября 2012 г.
• Патент РФ на полезную модель 144 869 U1 МПК G01N 22/00 B82B 1/00 Устройство для определения диэлектрической проницаемости пластин и толщин нанометровых проводящих пленок / Д.А. Усанов, С.А Никитов, А.В. Скрипаль, В.Е. Орлов, А.П. Фролов. Бюл. 25. Опубл. 10.09.2014. Заявка: 2013125178/07 от 30.05.2013
Разработка радиоволновых технологий контроля параметров многокомпонентных сред на основе наноразмерных ферромагнитных кластерных образований
•Усанов Д.А., Постельга А.Э., Бочкова Т.С., Гаврилин В.Н. Динамика агломерации наночастиц в магнитной жидкости при изменении магнитного поля Журнал технической физики. 2016. Т. 86. № 3. С. 146-148.
•Д.А. Усанов, А.Э. Постельга, С.В. Алтынбаев. Определение параметров магнитной жидкости по температурной зависимости сверхвысокочастотного спектра отражения // Журнал технической физики, 2013, том 83, вып. 11. С. 30-33.
•Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А.Э. Частотная зависимость коэффициента отражения СВЧ-излучения от магнитной жидкости в области азотных температур // ЖТФ. 2009. Т. 79, вып. 9, с. 146–148.
• Балашов О.Е., Барзов А.А., Галиновский А.Л., Постельга А.Э., Сысоев Н.Н., Усанов А.Д., Усанов Д.А., Хахалин А.В. СВЧ диагностика влияния физических воздействий на электромагнитные характеристики воды // Вестник Московского Университета. Серия 3. Физика. Астрономия. 2012, №3 С. 31-34.
•Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А. Э., Райхер Ю.Л., Степанов В.И. Температурная зависимость коэффициента отражения микроволнового излучения от слоя магнитной жидкости// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 11, с. 126–129.
• Usanov D.A.; Skripal Al.V., Skripal An.V., Kurganov A.V Interaction of Microwave Radiation with Magnetic Liquid Layer Placed in Waveguide // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2002. Vol.252. P.183-185.
• Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Курганов А.В. Определение параметров магнитной жидкости по отражению сверхвысокочастотного излучения // ЖТФ, 2001. Т.71. №12. С.26-29. (D. A. Usanov, Al. V. Skripal, An. V. Skripal, and A. V. Kurganov, "Determination of the Magnetic Fluid Parameters from the Microwave Radiation Reflection Coefficients", Technical Physics, Vol. 46, No. 12, 2001, pp. 1514–1517).
Разработка технологии формирования нанокомпозитов с включениями в виде углеродных нанотрубок с управляемыми характеристиками в СВЧ-диапазоне. Теоретически и экспериментально обоснованы радиоволновые технологии контроля параметров нанокомпозитов с включениями в виде углеродных нанотрубок
• D. A. Usanov, A. V. Skripal’, and A. V. Romanov Charge-Carrier Transport Mechanisms in Composites Containing Carbon-Nanotube Inclusions// Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 13, pp. 1689–1694.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Яфаров Р.К. Получение и диагностирование планарных сотовых углеродных структур// Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41, вып. 13. С. 95–101.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Влияние отжига на СВЧ-характеристики углеродных нанотрубок и нанокомпозитных материалов, созданных на их основе // Журнал технической физики. 2014. Т. 84, вып. 6. С. 86–91.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Механизмы транспорта носителей зарядов в композите с включениями в виде углеродных нанотрубок // Известия вузов. Электроника. 2014. №3(107). С. 7–15.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Влияние внешних воздействий на сверхвысокочастотные характеристики композитных материалов с включениями из углеродных нанотрубок// Нано- и микросистемная техника. 2014. № 3. С. 19–23.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Управление СВЧ–характеристиками композитных материалов с наполнителем из углеродных нанотрубок воздействием ультрафиолетового излучения// ЖТФ. 2013. Т.83, № 3. С. 91–95.
•Романов А.В., Скрипаль А.В., Усанов Д.А. Влияние внешних физических воздействий на СВЧ характеристики композитных материалов, содержащих углеродные микро- и нановключения // Нано- и микросистемная техника. 2011. №3. С. 12–16.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Комплексная диэлектрическая проницаемость композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок // Журнал технической физики. 2011. Т. 81, вып. 1. С. 106–110.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок // Известия вузов. Электроника. 2011. №2. С. 33–37.
•Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Электрофизические свойства композитов с включениями в виде углеродных нанотрубок, частиц мелкодисперсного графита и ферритовых микрочастиц// Известия вузов. Электроника. 2010. №5. С. 45–52.
• Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2012660604. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль Ал.В., Абрамов А.В., Романов А.В. Программа: Измерение параметров композитов «NanoComposite» Правообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского». Заявка № 2012618140. Поступила на регистрацию 27.09.2012. Дата регистрации 23 ноября 2012 г.
Исследование проблемы электромагнитной совместимости
• Усанов Д.А., Чаплыгин Ю.А., Галушков А.И., Семенов А.А. Магнитоуправляемый двухполюсник с отрицательным дифференциальным сопротивлением и ВАХ N-типа // Известия вузов. Электроника. 2007. №3. С. 23-29.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Клецов А.А., Абрамов А.В., Ильин С.Н. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле// Известия вузов. Электроника. 2003. №4. С. 5–12.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Клецов А.А. Нелинейность частотных характеристик полевого транзистора с барьером Шотки в режиме большого сигнала// Известия вузов. Электроника. 2003. №5. С. 50–56.
• Usanov D. A., Skripal Al. V., Skripal An., Abramov A.V., Kletsov A.A. Nonlinear dynamics of semiconductor microwave and optical oscillators // Izv. VUZ "Applied Nonlinear Dynamics" (Известия вузов. "Прикладная нелинейная динамика"). 2002. Vol. 10. № 3. P. 159-171.
Теоретическое и экспериментальное исследование воздействия оптического излучения и магнитного поля на полупроводниковые приборы, работающие в режиме синхронизации
• Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V. Optical control of semiconductor synchronized microwave oscillators in the power suppression mode // Proc. of XIV International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON-2002, Ploand,Gdansk, May 20–22, 2002. Vol. 1. P. 255–258.
• Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В. Оптическое управление полупроводниковыми синхронизированными СВЧ-генераторами, работающими в схеме вычитания сигналов// Известия вузов. Электроника. 2002. №5. С. 31–39.
• Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V. Optical control of semiconductor synchronized microwavе oscillators in the power suppression mode// Journal of Telecommunications and Information Technology// 2003. N 1. P. 30–35.
• Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V. Optical control of semiconductor synchronized microwave oscillators in the signals subtraction scheme// Proc. of 33rd European Microwave Conference. Munich, Germany. 7–9th October 2003. Vol. 3. P. 1405–1408.
