Skip to main content Skip to search

Документы

Положение о кафедре
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"

Магистратура по направлению 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника"

Направление подготовки магистратуры

11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»

 

Профиль подготовки

«Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии»

 

Выпускающая кафедра:  кафедра физики полупроводников ФНБМТ СГУ

 

 

Нормативный срок обучения  -  2 года.

 

Вступительные испытания

·        вступительный экзамен по направлению.

 

Форма обучения: очная, бюджетная.

 

Квалификация (степень) выпускника – магистр.

 

Область профессиональной деятельности выпускников включает совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники.

 

Объектами профессиональной деятельности выпускников являются материалы, компоненты, электронные приборы, устройства, установки, методы их исследования, проектирования и конструирования, технологические процессы производства, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели, алгоритмы решения типовых задач, современное программное и информационное обеспечение процессов моделирования и проектирования изделий электроники и наноэлектроники.

 

Магистр по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и профилю «Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии» может работать в научно-исследовательских институтах, высших и средних учебных заведениях, производственных, проектных, конструкторских предприятиях и организациях, основная деятельность которых связана с разработкой, коструированием, технологией, исследованием и эксплуатацией изделий электронной техники, электроники и наноэлектроники. Магистры по данному направлению и профилю востребованы в на предприятиях и в организациях электронной промышленности г. Саратова, г. Москвы, г. Санкт-Петербурга, институтах Российской Академии Наук, в высших учебных заведениях Министерства образования и науки Российской Федерации, а также в научно-образовательных центрах Российской Федерации.

 

Основными работодателями выпускников по данной основной образовательной программе являются профильные предприятия, организации и учреждения Саратова:

·        ООО «Научно-производственное предприятие «Инжект»,

·        АО «Научно-производственный центр «АЛМАЗ-ФАЗОТРОН»,

·        Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук,

·        АО «Научно-производственное предприятие «Алмаз»,

·        АО «Научно-производственное предприятие «Контакт»,

·        ОАО «Тантал»,

·        учреждения высшего и среднего образования Саратова

и др.

 

Магистр по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» может занимать следующие должности:

научный сотрудник, ассистент, инженер, инженер-электроник, инженер-технолог, мастер участка, инженер по подготовке производства, организационно-управленческие должности, инженер по реализации перспективных и конкурентоспособных изделий и другие.

 

Получение квалификации магистра позволяет продолжить обучение в аспирантуре (срок обучения 4 года) по соответствующему направлению.

 

 

Изучаемые дисциплины

Общие дисциплины:

·         История и методология науки и техники,

·         Педагогика и психология,

·         Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации

и др.

Общефакультетские дисциплины направления:

·         Современные проблемы электроники,

·         Компьютерные технологии в науке и образовании,

·         Микроэлектроника и наноэлектроника,

·         Квантовая и оптическая электроника,

·         Научный семинар

·          

и др.

Профильные дисциплины:

·         Математические модели в естествознании и технике,

·         Действие ионизирующих излучений на полупроводниковые материалы и структуры,

·         Физика твердотельных параметрических приборов СВЧ,

·         Твердотельные электронные датчики внешних воздействий,

·         Фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах,

·         Физика полупроводниковых приборов,

·         Молекулярные технологии и электроника,

·         Автоматизация научных исследований и производства изделий электронной техники,

·         Твердотельная и вакуумная СВЧ микроэлектроника,

·         Физика и химия коллоидов и границ раздела фаз,

·         Основы молекулярной электроники,

·         Взаимодействие электромагнитных волн СВЧ, КВЧ, и ИК диапазонов с полупроводниковыми структурами,

·         Фотонные кристаллы,

·         Методы и средства измерений, испытаний и контроля при производстве изделий электронной техники,

·         Полупроводниковая волновая электроника,

·         Системы автоматизированного проектирования.

 

 

Электроника и наноэлектроника: наука и профессия

 

Электроника уже многие годы и даже десятилетия является ведущей научно-технической областью и по существу одной из наиболее ярких частей имиджа современной человеческой цивилизации. Электроника дала людям радиовещание, телевидение, электронные вычислительные машины (ЭВМ), персональные компьютеры, связь, радиолокацию, Интернет, мобильную сотовую связь и многое другое, без чего невозможно представить жизнь современного человека как в его профессиональной деятельности, так и в быту. Электроника – ярчайший представитель того, что сегодня принято называть высокими технологиями или hi-tech.

Многие годы, начиная с 50-х годов прошлого века, доминирующими направлениями в электронике были и остаются твердотельная электроника и микроэлектроника с соответствующими технологиями. Физическими основами твердотельной электроники и микроэлектроники является широкий круг физических явлений и эффектов, наблюдающихся в полупроводниках, диэлектриках, металлах и сверхпроводниках, а также в структурах на их основе при воздействии токов, полей, излучений, радиации, частиц с большой энергией, тепла, механических деформаций, перемещений и других внутренних и внешних факторов. Изучение эффектов и явлений, порождаемых перечисленными воздействиями и факторами, составляет предмет теоретических и экспериментальных исследований разных разделов физики и, в первую очередь, физики полупроводников, физики твердого тела, квантовой механики, статистической физики, термодинамики, квантовой теории твердого тела и др. Поэтому квалифицированная и эффективная работа исследователей, конструкторов и разработчиков радиоэлектронной аппаратуры, технологов требует глубоких и всесторонних фундаментальных знаний в перечисленных выше областях физики, а также в математике и химии.

Основной продукт микроэлектроники – дискретные твердотельные электронные приборы и полупроводниковые интегральные микросхемы, которые используются сегодня практически во всех электронных устройствах и системах. Самыми известными широкому кругу людей (и специалистов, и не специалистов) изделиями твердотельной электроники и микроэлектроники являются микропроцессоры и схемы памяти - сверхбольшие полупроводниковые интегральные микросхемы, а также полупроводниковые лазеры.

В настоящее время степень интеграции элементов в полупроводниковых интегральных микросхемах практически достигла физического и технологического предела, и дальнейшее уменьшение размеров элементов полупроводниковых интегральных схем, с одной стороны, требует принципиально новых технологических подходов к созданию искусственных структур и систем с характерными размерами менее 100 нанометров (1 нанометр = 10-9 метра), а с другой стороны, должно привести к обнаружению новых физических явлений и эффектов, связанных именно и исключительно только с такими размерами. С исследованиями и разработками подобного рода объектов (структур и систем) сегодня связываются перспективы развития электроники в целом в предстоящие десятилетия. Сегодня мы являемся свидетелями выдающегося и феноменального события - рождения таких новых направлений науки и техники, как нанотехнологии и наноэлектроника.

Кафедра физики полупроводников Саратовского государственного университета имени Н.Г. Чернышевского уже многие годы и десятилетия готовит специалистов и ученых в области физики полупроводников, твердотельной электроники, микроэлектроники и соответствующих технологий.

На кафедре действует аспирантура и докторантура по соответствующим профилю кафедры направлениям и профилям, что позволяет выпускникам магистратуры кафедры, а также других вузов продолжить свое дальнейшее образование и квалификационный рост.

Обучение в магистратуре кафедры физики полупроводников СГУ по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» с профилем «Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии» - это прекрасный выбор для тех, кто интересуется физикой, математикой, электроникой и современными микро- и нанотехнологиями.

Обучаясь на кафедре, студенты, магистранты, аспиранты и докторанты получают высокую фундаментальную подготовку по физике и математике, информатике и гуманитарным дисциплинам, а также конкретные современные специальные знания и умения в самых передовых, важнейших и перспективнейших научных, научно-технических, технологических и производственных областях, связанных с электроникой и наноэлектроникой и нанотехнологиями.

Высокий уровень подготовки позволяет выпускникам кафедры успешно работать на передовых предприятиях и исследовательских организациях Саратова, России, Европы и мира.

 

Информация о кафедре физики полупроводников на сайте СГУ:

http://www.sgu.ru/structure/fnbmt/semi-conphys