Skip to main content Skip to search

Документы

Положение о кафедре
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"

Бакалавриат по направлению 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника"

Направление подготовки бакалавров

11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»

 

Профиль подготовки

«Физика и технология твердотельных электронных

микро- и наноструктур»

 

Выпускающая кафедра:  кафедра физики полупроводников ФНБМТ СГУ

 

 

Нормативный срок обучения  -  4 года.

 

Вступительные испытания

результаты ЕГЭ по предметам:

·        русский язык;

·        физика;

·        математика.

 

Форма обучения: очная, бюджетная.

 

Квалификация (степень) выпускника – бакалавр.

 

Область профессиональной деятельности выпускников включает совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленных на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники.

 

Объектами профессиональной деятельности выпускников являются материалы, компоненты, электронные приборы, устройства, установки, методы их исследования, проектирования и конструирования, технологические процессы производства, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели, алгоритмы решения типовых задач, современное программное и информационное обеспечение процессов моделирования и проектирования изделий электроники и наноэлектроники.

 

Бакалавр по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» и профилю «Физика и технология твердотельных электронных микро- и наноструктур» может работать в производственных, проектных, конструкторских, научно-исследовательских предприятиях и организациях, основная деятельность которых связана с разработкой, коструированием, технологией, исследованием и эксплуатацией изделий электронной техники, электроники и наноэлектроники. Бакалавры по данному направлению и профилю востребованы в на предприятиях и в организациях электронной промышленности г. Саратова, г. Москвы, г. Санкт-Петербурга, институтах Российской Академии Наук, в высших учебных заведениях Министерства образования и науки Российской Федерации, а также в научно-образовательных центрах Российской Федерации.

 

Основными работодателями выпускников по данной основной образовательной программе являются профильные предприятия, организации и учреждения Саратова:

·        ООО «Научно-производственное предприятие «Инжект»,

·        АО «Научно-производственный центр «АЛМАЗ-ФАЗОТРОН»,

·        Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук,

·        АО «Научно-производственное предприятие «Алмаз»,

·        АО «Научно-производственное предприятие «Контакт»,

·        ОАО «Тантал»

и др.

 

Бакалавр по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» может занимать следующие должности:

инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-лаборант.

 

Получение квалификации бакалавра позволяет продолжить обучение в магистратуре (срок обучения 2 года) по соответствующему направлению.

 

 

Изучаемые дисциплины

Общие дисциплины

·         история,

·         философия,

·         иностранный язык,

·         экономика,

·         правоведение,

·         дисциплины высшей математики,

·         физика,

·         химия,

·         информатика: средства и методы защиты информации,

·         инженерная и компьютерная графика,

·         основы профессионально-ориентированного перевода,

·         основы реферирования научно-технической литературы,

·         менеджмент и маркетинг в области высоких технологий

и др.

Общефакультетские дисциплины направления

·         физика полупроводников,

·         электронные свойства кристаллов,

·         кристаллография и кристаллофизика,

·         метрология, стандартизация и сертификация,

·         теоретические основы электротехники,

·         материалы электронной техники,

·         физико-химические основы технологии электроники и наноэлектроники,

·         физические основы твердотельной электроники,

·         твердотельная электроника

·         микроэлектроника и наноэлектроника,

·         квантовая и оптическая электроника,

·         микросхемотехника,

·         кристаллография и кристаллофизика,

·         вакуумная и плазменная электроника

и др.

Профильные дисциплины:

·         Компьютер в физической лаборатории,

·         Вычислительные методы в физике полупроводников,

·         Организация и планирование производства,

·         Основы аналоговой и цифровой электроники,

·         Основы математического моделирования в твердотельной электронике,

·         Физика приборов на квантовых эффектах

·         Физика и химия границы раздела фаз и коллоидных систем,

·         Основы молекулярной электроники.

 

 

Электроника и наноэлектроника: наука и профессия

 

Электроника уже многие годы и даже десятилетия является ведущей научно-технической областью и по существу одной из наиболее ярких частей имиджа современной человеческой цивилизации. Электроника дала людям радиовещание, телевидение, электронные вычислительные машины (ЭВМ), персональные компьютеры, связь, радиолокацию, Интернет, мобильную сотовую связь и многое другое, без чего невозможно представить жизнь современного человека как в его профессиональной деятельности, так и в быту. Электроника – ярчайший представитель того, что сегодня принято называть высокими технологиями или hi-tech.

Многие годы, начиная с 50-х годов прошлого века, доминирующими направлениями в электронике были и остаются твердотельная электроника и микроэлектроника с соответствующими технологиями. Физическими основами твердотельной электроники и микроэлектроники является широкий круг физических явлений и эффектов, наблюдающихся в полупроводниках, диэлектриках, металлах и сверхпроводниках, а также в структурах на их основе при воздействии токов, полей, излучений, радиации, частиц с большой энергией, тепла, механических деформаций, перемещений и других внутренних и внешних факторов. Изучение эффектов и явлений, порождаемых перечисленными воздействиями и факторами, составляет предмет теоретических и экспериментальных исследований разных разделов физики и, в первую очередь, физики полупроводников, физики твердого тела, квантовой механики, статистической физики, термодинамики, квантовой теории твердого тела и др. Поэтому квалифицированная и эффективная работа исследователей, конструкторов и разработчиков радиоэлектронной аппаратуры, технологов требует глубоких и всесторонних фундаментальных знаний в перечисленных выше областях физики, а также в математике и химии.

Основной продукт микроэлектроники – дискретные твердотельные электронные приборы и полупроводниковые интегральные микросхемы, которые используются сегодня практически во всех электронных устройствах и системах. Самыми известными широкому кругу людей (и специалистов, и не специалистов) изделиями твердотельной электроники и микроэлектроники являются микропроцессоры и схемы памяти - сверхбольшие полупроводниковые интегральные микросхемы, а также полупроводниковые лазеры.

В настоящее время степень интеграции элементов в полупроводниковых интегральных микросхемах практически достигла физического и технологического предела, и дальнейшее уменьшение размеров элементов полупроводниковых интегральных схем, с одной стороны, требует принципиально новых технологических подходов к созданию искусственных структур и систем с характерными размерами менее 100 нанометров (1 нанометр = 10-9 метра), а с другой стороны, должно привести к обнаружению новых физических явлений и эффектов, связанных именно и исключительно только с такими размерами. С исследованиями и разработками подобного рода объектов (структур и систем) сегодня связываются перспективы развития электроники в целом в предстоящие десятилетия. Сегодня мы являемся свидетелями выдающегося и феноменального события - рождения таких новых направлений науки и техники, как нанотехнологии и наноэлектроника.

Кафедра физики полупроводников Саратовского государственного университета имени Н.Г. Чернышевского уже многие годы и десятилетия готовит специалистов и ученых в области физики полупроводников, твердотельной электроники, микроэлектроники и соответствующих технологий.

На кафедре действует магистратура, аспирантура и докторантура по соответствующим профилю кафедры направлениям и профилям, что позволяет выпускникам бакалавриата и магистратуры кафедры, а также других вузов продолжить свое дальнейшее образование и квалификационный рост.

Обучение в бакалавриате кафедры физики полупроводников СГУ по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» с профилем «Физика и технология твердотельных электронных микро- и наноструктур» - это прекрасный выбор для тех, кто интересуется физикой, математикой, электроникой и современными микро- и нанотехнологиями.

Обучаясь на кафедре, студенты, магистранты, аспиранты и докторанты получают высокую фундаментальную подготовку по физике и математике, информатике и гуманитарным дисциплинам, а также конкретные современные специальные знания и умения в самых передовых, важнейших и перспективнейших научных, научно-технических, технологических и производственных областях, связанных с электроникой и наноэлектроникой и нанотехнологиями.

Высокий уровень подготовки позволяет выпускникам кафедры успешно работать на передовых предприятиях и исследовательских организациях Саратова, России, Европы и мира.

 

Информация о кафедре физики полупроводников на сайте СГУ:

http://www.sgu.ru/structure/fnbmt/semi-conphys