Кафедра физики твердого тела, образованная в 1945 году, была в числе первых, вошедших в состав физического факультета университета в момент его образования. Круглые даты можно считать основанием для подведения итогов, анализа прошлого и направлений развития в будущем. Когда говорят о биографии отдельного человека, то, по-видимому, не случайно описание начинают с родителей, сведения о которых не редко дают ключ к пониманию судьбы их детей. По аналогии обсуждение истории направлений развития физики полупроводников и микроэлектроники, кафедр физики твердого тела и физики полупроводников можно начать с рассказа об ученых, деятельность которых оказала наибольшее влияние на педагогическую и научную судьбу коллектива факультета.
А.Ф. Иоффе 
В этом отношении, прежде всего, представляется уместным вспомнить о том, что 60-летие кафедры физики твердого тела (2005 г.) совпало со 125-летием со дня рождения академика АН СССР А.Ф. Иоффе, являвшегося по образному выражению одного из его многочисленных учеников, нашего земляка Лауреата Нобелевской премии Н.Н. Семенова, отцом физики полупроводников.
Именно деятельность А.Ф. Иоффе долгие годы во многом определяла развитие физики полупроводников в нашей стране и в мире. На протяжении многих лет своей жизни А.Ф. Иоффе неустанно рассказывал о перспективах, открывающихся при использовании достижений физики полупроводников как науки в народном хозяйстве. А.Ф. Иоффе ввел в практику высшего инженерного образования в СССР гармоничное сочетание изучения теории с занятиями экспериментальными исследованиями, результаты которых должны быть обязательно ориентированы на достижение практических целей. С личной поддержкой А.Ф. Иоффе связаны судьбы многих выдающихся отечественных открытий и изобретений и их авторов, среди которых можно в частности выделить О.В. Лосева и Е.Ф. Гросса.
Е.Ф. Гросс
А.Ф. Иоффе был пионером в продвижении достижений физики полупроводников в различные сферы жизни, в частности, в биологию, сельское хозяйство, энергетику, результатом чего было появление прорывных технологий, основанных на междисциплинарных закономерностях. Влияние продвигаемых А.Ф. Иоффе идей и подходов можно увидеть как в развитии науки и педагогики высшей школы в нашей стране в целом, так и если проанализировать развитие физики полупроводников, твердотельной микро- и наноэлектроники в нашем университете.
Прежде всего, появление этого направления в СГУ было связано с административной ссылкой в Саратов из Ленинграда одного из ближайших сотрудников А.Ф. Иоффе – В.П. Жузе.
В.П. Жузе
Именно с именем Жузе связано появление в СГУ научного направления, называвшегося тогда физикой полупроводников и диэлектриков. Имя В.П. Жузе навсегда вошло в историю физики полупроводников в связи с выполненными им в 1932 г. совместно с Б.В. Курчатовым (братом академика И.В. Курчатова) исследованиями влияния примесей на ход температурной зависимости электропроводности полупроводников. Результат этих исследований Ж.И. Алферов в своей нобелевской лекции выделяет в числе первых наиболее значимых систематических исследований по физике полупроводников. В 1936/37 учебном году В.П. Жузе впервые в СГУ подготовил и прочитал курс лекций по физике полупроводников. В.П. Жузе организовал научную группу, в которую, кроме аспирантов и студентов, вошли ассистенты З.И. Кирьяшкина и И.К. Крх. Следует отметить, что знавший достаточно глубоко теорию В.П. Жузе справедливо называл себя физиком – экспериментатором. Биографы В.П. Жузе отмечают практическую направленность, характерную его работам. В 1941 г. под руководством В.П. Жузе в СГУ была создана специальная научная лаборатория полупроводников. Имя В.П. Жузе вошло в историю физики полупроводников так же в связи с обнаружением квазичастицы названной экситоном – связанного состояния электрона и дырки в полупроводниках. Эксперименты В.П. Жузе и С.М. Рывлина по исследованию кинетики фотопроводимости в полупроводниках и проблема объяснения идеи об экситоне привлекли внимание Е.Ф. Гросса. Им и его аспирантом Н.А. Кардыевым было впервые получено прямое экспериментальное доказательство существования экситонов.
Интересно отметить, что жизненные и научные судьбы В.П. Жузе и Е.Ф. Гросса пересекались не только в связи с исследованиями в области полупроводников. Общим фактом их биографии является работа в Саратовском университете в связи с их высылкой в административном порядке из Ленинграда в Саратов. Одним и тем же приказом в 1935 г. они были зачислены на должности исполняющих обязанности доцентов в СГУ. В 1944 г. А.Ф. Иоффе переехал работать в Казань, где трудился эвакуированный в этот город коллектив Ленинградского физико-технического института, в том же году он вместе с коллективом ЛФТИ вернулся в Ленинград. В этом институте В.П. Жузе проработал до последних дней своей жизни.
Дальнейшее становление и развитие исследований по физике полупроводников в СГУ связано с именем З.И. Кирьяшкиной. С 1944 года, после ухода из СГУ В.П. Жузе, З.И. Кирьяшкина стала руководителем лаборатории полупроводников в СГУ. В 1945 г. Зинаида Ивановна защитила кандидатскую диссертацию. В 1947 г. ей было присвоено звание доцента. Заведующей кафедрой физики твердого тела З.И. Кирьяшкина была назначена в 1951 году. 
В этой должности она проработала всю свою жизнь до 1985 года. Широкую известность получили пионерские работы, выполненные под руководством З.И. Кирьяшкиной по измерению диэлектрической проницаемости полупроводников, по созданию совместно с Д.И. Биленко, В.Е. Орловым и Ю.Б. Бураковым полупроводниковых детекторов с рекордными на протяжении нескольких тысячелетий характеристиками, широко внедренных в практику. Это изобретение сделало кафедру физики твердого тела и лабораторию полупроводников СГУ известными среди разработчиков радиоаппаратуры и способствовало освоению новых частотных диапазонов в нашей стране. Впоследствии эти работы проводились под руководством профессора Б.Н. Климова и В.А. Иванченко.
З.И. Кирьяшкина была инициатором развития в СГУ исследований в области контактных явлений в полупроводниках. Работу в этом направлении возглавлял доцент кафедры теоретической и ядерной физики Л.И. Баранов.
1-й выпуск кафедры физики твердого тела 1950 г.
Им и его учениками были получены соотношения, описывающие вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов на основе p–n перехода, показана возможность проявления индуктивного характера реактанса таких диодов. В последние годы сотрудниками кафедры был установлен индуктивный характер нелинейной составляющей диодов Ганна. Работы Л.И. Баранова широко цитируются в большинстве научных изданий по этому направлению. Известность кафедре, как ведущему педагогическому коллективу придали разработанные по инициативе З.И. Кирьяшкиной впервые в стране программы курсов, по которым проводилась подготовка студентов, обучающихся в университетах по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» (1979 г.) Авторами всех программ этих курсов были сотрудники кафедры З.И. Кирьяшкиной, Л.И. Баранов, З.И. Орнатская, Д.И. Биленко, В.Ф. Названов, А.М.Свердлова.
Научный семинар кафедры (доклад Л.И. Баранова)
З.И. Кирьяшкина была организатором и председателем секции физики полупроводников и диэлектриков методического Совета Минвуза СССР. В 1957 г. на базе лаборатории полупроводников приказом Министра ВО СССР в СГУ была организована проблемная лаборатория полупроводников, в которой с начала ее существования и в последующий период выполнялись важнейшие НИР, в том числе, открываемые по Постановлениям Министра ВО СССР, Совета Министров СССР. Открытию проблемной лаборатории в СГУ способствовало ходатайство перед А.Ф. Иоффе по этому вопросу В.П. Жузе.
Проведенные З.И. Кирьяшкиной исследования были обобщены в ее докторской диссертации, которую она защитила в 1967 г. С момента открытия проблемной лаборатории полупроводников и по 1973 г., когда она вошла в состав НИИМФ, З.И. Кирьяшкина исполняла обязанности ее научного руководителя. С 1973 г. З.И. Кирьяшкина стала научным руководителем отдела физики полупроводников НИИМФ, в состав которого вошла также лаборатория микроэлектроники, организованная в качестве проблемной под научным руководством профессора Д.И. Биленко в 1962 г.
Студент Д. Биленко в учебной лаборатории (1953 г.)
В 1980 г. З.И. Кирьяшкиной было присвоено звание «Заслуженный деятель науки РСФСР», она была награждена орденами Ленина, Знак Почета, медалями. Под руководством З.И. Кирьяшкиной была защищена докторская диссертация (Б.Н. Климов) и 25 кандидатских диссертаций. Впоследствии стали докторами наук работавшие под ее руководством доцентами кафедры В.Ф. Названов, А.Г. Роках, А.М. Свердлова, Д.А. Усанов, начальником отдела В.А. Иванченко, бывшие ее аспиранты В.А. Рожков, М.К. Самохвалов и другие.
Формирование научно-педагогического коллектива, включающего коллективы кафедры и отдела, позволяло реализовать пропагандируемый А.Ф. Иоффе метод подготовки инженеров, основанный на сочетании глубокого изучения теории, научных исследований, доведение результатов НИР до потребителя.
С момента основания кафедры и лаборатории их основным научным направления было исследование взаимодействие электромагнитного поля с полупроводниковыми материалами и структурами. Именно в этом направлении работал Д.И. Биленко, пришедший на кафедру в 1949 году, которому принадлежат пионерские труды по созданию неразрушающих методов контроля материалов и структур в ходе технологического процесса их образования, по-существу создания управляемой в ходе процесса технологии изготовления полупроводниковых материалов и структур. Цикл этих исследований в 1972 году был отмечен премией Президиума АН СССР по проблемам микроэлектроники. Результаты работ по этому направлению были отражены в 12кандидатских диссертациях, более 250 научных публикациях, 70 авторских свидетельствах и патентов, учебных пособиях и организованных практикумах для студентов.
Работы в области оптоэлектроники на кафедре развивались под руководством профессора В.Ф. Названова. В результате проведенных под его руководством исследований был обнаружен и изучен эффект высокотемпературной фотоэлектрической памяти в кристаллах и пленках сульфида кадмия, легированных хлоридами щелочных металлов, разработаны управляемые светом транспаранты с запоминанием оптических изображений на основе структур фотопроводник–жидкий кристалл, реверсивные регистрирующие среды и преобразователи изображений на основе структур фотопроводник–электрохромный материал и другие оригинальные приборы, способы создания и конструкции которых защищены 9 авторскими свидетельствами и доведены до практического использования.
По этому направлению опубликовано свыше 200 научных работ, в том числе 7 учебных пособий для студентов университетов.
Развитие научно-педагогического коллектива, руководимого З.И. Кирьяшкиной, привело к образованию на его основе в 1981 году кафедры физики полупроводников, которую возглавил Б.Н. Климов. Начиная с этого времени, подготовка специалистов по физике полупроводников в СГУ стала вестись силами коллективов двух кафедр. Перед образованием кафедры физики полупроводников в основной штат профессорско-преподавательского состава кафедры физики твердого тела входили зав. кафедрой, профессор З.И. Кирьяшкина, профессор Б.Н. Климов, доценты З.И. Орнатская, В.Н. Котелков, Д.И. Биленко, А.М. Свердлова, А.Г. Роках, В.Ф. Названов, Н.Б. Кац (Трофимова), старший преподаватель В.К. Демидов, ассистенты Г.Г. Капшталь, Е.И. Ерохина, Г.Ю. Науменко, А.И. Михайлов. Половина из перечисленных преподавателей (Б.Н. Климов, В.Н. Котелков, А.М. Свердлова, А.Г. Роках, Е.И. Ерохина, Г.Ю. Науменко, А.И. Михайлов) и составили преподавательский штат новой кафедры.
Все эти годы на кафедре физики твердого тела продолжались исследования различных эффектов взаимодействия излучения СВЧ- и оптического диапазонов с полупроводниковыми структурами.
Среди наиболее значимых научных результатов можно выделить:
1. Установление возможности возникновения или, напротив, подавления отрицательного сопротивления в полупроводниковых диодах, генерацию субгармоничных составляющих и шумоподобных сигналов. Эти результаты вошли в докторскую диссертацию, защищенную в 1998 г. Ал.В. Скрипалем и в изданную в 1999 г. монографию «Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ».
2. Обнаружение новых закономерностей, связанных с эффектами обусловленными существованием ближнего поля в электродинамических структурах с полупроводником. Работы в этом направлении составили основу докторской диссертации, защищенной в 1999 г. С.Б. Венигом.
Развитие исследований по этой проблеме составило основу докторской диссертации, подготовленной доцентом С.С. Горбатовым, установившим возможность реализации управляемых электрическим и магнитным полями резонансов в низкоразмерных электродинамических структурах.
К этому же направлению относится материалы докторских диссертаций С.Г. Сучкова (1998 г.) и В.Я. Явчуновского (2000 г.), выполнявших работы на кафедре в качестве соискателей.
Эти работы, кроме интересных физических результатов, характеризуются выраженной практической направленностью и доведением результатов до промышленного использования.
Исследования взаимодействия когерентного оптического излучения с различными средами, в том числе с колеблющимися механическими и биологическими объектами, и, в частности, исследования эффекта автодетектирования в полупроводниковых лазерах на гетеропереходах привели к разработке новых методов измерения характеристик вибрирующих объектов и установлению эффектов синхронизации и подавления внешним сигналом колебательных процессов в живых организмах. Работы в этом направлении внедрены в практику, были обобщены в монографиях «Телевизионная измерительная микроскопия» 1996 г., «Руководство к практически занятиям по автоматизированному проектированию аналого-цифровых схем» 2005 г. и были положены в основу докторской диссертации, защищенной в 1998 г. Ан.В. Скрипалем.
В 1985 г. с целью укрепления связи с местами распределения и прохождения практик был организован филиал кафедры физики твердого тела на базе Центрального НИИ измерительной аппаратуры, заведующим которого стал лауреат государственной премии РФ, Заслуженный машиностроитель РФ, профессор В.Д. Тупикин, автор оригинальных исследований по воздействию излучения терагерцового диапазона на живые организмы.
В 1987 г. был открыт филиал кафедры физики полупроводников в Научно-исследовательском институте знакосинтезирующей электроники «Волга», который за годы своего существования получил развитие и действует сейчас на базе ФГУП «НИИ «Волга» (рук. к.ф.-м.н. Н.Д. Жуков) и ФГУП «Инжект» (рук. д.ф.-м.н. Г.Т. Микаелян).
Студенты кафедры физики твердого тела имеют возможность проходить практику и знакомиться и осваивать специфику технологических процессов создания полупроводниковых структур и методов туннельной микроскопии в лабораториях СФ ИРЭ РАН, где в 2006г. был открыт филиал кафедры под руководством профессора Равиля Кяшшафовича Яфарова, а также на производственных участках предприятия "Алмаз-Фазотрон" под руководством лауреата государственной премии СССР, заслуженного конструктора РФ, почетного радиста СССР, почетного работника электронной промышленности профессора Посадского В. Н. – известного разработчика твердотельных СВЧ устройств.
Студенты СГУ, изучающие физику полупроводников и полупроводниковую электронику, наряду с фундаментальной подготовкой, имеют возможность получить практические навыки, необходимые для современного специалиста, работая в научных и учебных лабораториях кафедры. В создании и модернизации учебных лабораторий необходимо отметить вклад З.И. Кирьяшкиной, Б.Н. Климова, Д.А. Усанова, Д.И. Биленко, В.Ф. Названова, З.И. Орнатской, Г.Г. Капшталь, Н.Б. Трофимовой, Ал.В. Скрипаля, С.Б. Венига, А.И. Михайлова, Г.Ю. Науменко, В.Б. Феклистова, Д.А. Горина, Т.М. Гаманюк, А.А. Семенова, М.С. Левина, А.Н. Бугоркова, А.Н. Федосеевой и др. Учебное пособие к практикуму по СВЧ-методам измерения параметров полупроводников и диэлектриков получило гриф Минобразования РФ.
На протяжении длительного времени кафедра физики твердого тела имеет тесные связи с колледжем радиоэлектроники им. Яблочкова. Методическая работа в этом направлении, проводившаяся при участии Д.И. Биленко, С.Б. Венига, Ан.В. Скрипаля, в свое время активно поддержанная А.М. Богомоловым, позволила реализовать успешно функционирующую сегодня образовательную цепочку непрерывного обучения "школа-колледж-университет." Опыт по реализации такой системы многоуровневого образования позволил коллективу кафедры смело пойти на эксперимент по подготовке специалистов по двухуровневой системе «бакалавр-магистр».
В 1993 г. по инициативе преподавателей кафедры физики полупроводников, руководства и ведущих педагогов школы № 37 г. Саратова (ныне лицей № 37) был создан Лицей «Полупроводниковая электроника», включающий в себя специализированные лицейские клаccы в лицее № 37 (научный руководитель – проф. Б.Н. Климов, зам. научного руководителя – проф. А.И. Михайлов), в которых наряду с углубленным и расширенным изучением физики и математики преподается также и ряд современных специальных курсов. Среди них особо выделяется спецкурс «Микро- и нанотехнологии в электронике», определяющий специфику и научно-технический профиль Лицея. Занятия в Лицее проводятся высоко квалифицированными преподавателями CГУ. Обучение в Лицее «Полупроводниковая электроника» дает возможность одаренным школьникам, проявляющим особый интерес к физике, математике, электронике, передовым микро- и нанотехнологиям и информатике начать уже в школьные годы свою профессиональную ориентацию и целенаправленные занятия по профилирующим и специальным дисциплинам. В 1998 г. Лицей «Полупроводниковая электроника» был также открыт в школе № 9 г. Аткарска Саратовской области (научный руководитель - проф. А.И. Михайлов).
В 2000г кафедрой физики твердого тела совместно с кафедрой физики полупроводников был осуществлен первый в СГУ выпуск по направлению 550700 – «Электроника и микроэлектроника».
Сотрудники кафедры всегда активно участвовали в выполнении исследований по междисциплинарным научным направлениям, по которым можно было с успехом использовать либо возможности твердотельной электроники, либо новые технологии измерений, применяемые в микро- и наноэлектронике. В качестве примеров можно привести перспективные для применения в биологии и медицине разработки: способ контроля характеристик сердцебиения дафнии, видеоокулограф, устройство для измерения колебаний барабанной перепонки, устройство для контроля движения грудной клетки человека, связанных с дыханием и сердцебиением. Наличие этих и других подобных разработок послужили основанием для участия сотрудников кафедры в подготовке специалистов по специальности "Медицинская физика" (совместно с другими кафедрами физического факультета), "Биомедицинская инженерия".
Известно, что одной из основных тенденций в развитии приборов твердотельной электроники является уменьшение межэлектродных расстояний. Отсюда появление микро- и в последние годы наноэлектроники. Научные работы по созданию наноструктур длительное время велись и ведутся сегодня под руководством профессора Д.И. Биленко. Свойства феррочастиц в магнитной жидкости изучались при активном участии профессора Ан.В. Скрипаля. Технологии измерения наноперемещений и нанотолщин пленок разрабатывались при активном участии профессора Ал.В. Скрипаля. По этому направлению опубликовано учебное пособие с грифом Минобразования РФ "Физика полупроводников. Явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями." Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В. 1996г. Исследованиями в области наноструктур, создаваемых с использованием технологии Ленгмюра-Блоджетт, полиионной сборки ведутся под руководством профессора Климова Б.Н. и доцента Горина Д.А.
В этой связи Гособрнадзором РФ в 2004г СГУ была выдана лицензия на право подготовки специалистов по направлению: "Нанотехнологии в электронике" и в том же 2004г был осуществлен первый набор студентов на эту специальность.
Открытие новых специальностей и наличие достаточного числа профессоров и доцентов сделало возможным создание в СГУ в 2005 году нового факультета – факультета нано- и биомедицинских технологий с переводом на этот факультет кафедр физики твердого тела, физики полупроводников и открытием на этом факультете новых кафедр: кафедры "Материаловедения, технологии и метрологии материалов", которую возглавил декан факультета С.Б. Вениг и кафедры "Медицинской физики", которую возглавил профессор Ан.В. Скрипаль, работавшие ранее на кафедре физики твердого тела.
